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掺杂工艺几种方式
半导体
工艺
中
掺杂方式
有那些??详细些谢谢
答:
其它
掺杂
大多是在半导体生长过程中加入的 比如拉制GaAs单晶过程中掺入Si
微加工的
掺杂工艺
答:
局部掺杂:在微系统和微电子器件的制造过程中
,经常需要对基片的局部衬底进行掺杂。一般都需要通过两步来完成:-第一步掺杂原子的沉积,通常采用离子注入等工艺手段把合适类型和剂量的掺杂原子注入局部衬-底指定区域的材料内部;-第二步通过阱推扩散工艺使掺杂原子重新分布。离子注入是利用一个特殊的粒子加速...
半导体
工艺
中,
掺杂
有哪
几种方式
?
答:
两种
p型半导体
n型半导体
氮
掺杂
碳材料
答:
氮掺杂的方式可分为原位和后掺杂
。原位掺杂,如通过化学气相沉积(CVD)技术,虽然能够提高氮含量,但工艺复杂度也随之增加;相比之下,后掺杂技术,如通过氧化手段引入氮,如吡啶-N、吡咯-N和石墨-N,虽然存在争议,部分研究显示吡啶-N和石墨-N对ORR活性有显著提升。在催化剂的合成策略中,原位掺杂如C...
半导体制作工艺
---
掺杂
答:
N型)元素氮磷砷锑原子量71533515.2扩散扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一,是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中,使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散,达到一定浓度,实现半导体定域、定量
掺杂
的一
种工艺方法
,也称为热扩散。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之 ...
非金属矿物直接制备高性能材料的关键技术及发展方向
答:
常用的
掺杂方式
主要有直接添加、反应(如共沉淀)掺杂、高能辐照掺杂等。复合主要集中在复合材料的制备。 研究重点是掺杂剂的设计、最佳掺杂量的计算和材料应用性能的开发。 九、矿物材料的发展前沿 对材料加工和性能的高要求使矿物材料的发展日新月异,高新技术的渗入和多学科的交叉引发矿物材料物理加工许多新的思路。
什么是倒
掺杂
?,听说可以防止LATCH UP?
答:
先植入再阱驱
工艺
形成的well,表面离子浓度最高,浓度随深度减小。所谓倒
掺杂
阱,是指先高能量大剂量植入离子到所需的深度,再低能量小剂量植入离子。不需长时间高温驱入,离子浓度最高的地方不是在表面。横向扩散比较小。不知道我说的对不对!Retrograded well,倒阱,用高能离子注入将杂质打入阱底部,...
怎么对陶瓷进行
掺杂
改性
答:
怎么对陶瓷进行
掺杂
改性如下:1.先将氧化铝产品成型后进行初烧。2.然后将成型初烧过的氧化铝产品和待添加的杂质放在一起加热但不直接接触。3.最后将附有杂质的氧化铝产品进行第三次高烧。陶瓷是陶器与瓷器的统称,同时也是我国的一
种工艺
美术品,远在新石器时代,我国已有风格粗犷、朴实的彩陶和黑陶。
半导体材料中,离子注入与离子
掺杂
有什么区别
答:
离子掺杂应该就是通过离子注入
工艺
来实现的包括施主杂质或受主杂质的掺杂,
掺杂方式
还有扩散掺杂,不过精确度不高而且掺杂时间过长,大部分的半导体或面板等行业都是离子注入方式。离子注入的优点有1.纯度高:离子是通过磁分析器选出来的;2.均匀度好:同一平面均匀度一般可保证在±3%;3.能够精确控制注入...
介绍下半导体的
掺杂
问题?
答:
而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体
掺杂
是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对半导体的认识会有收获。此外,氮元素电负性太大,与硅掺杂无法形成四价,只能是三价键,不可以导电的。
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