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掺杂工艺几种方式
单晶硅有哪
几种
类型?
答:
单晶硅有P型和N型两种类型。N型单晶硅是在硅中
掺
入磷元素制成的,它的导电性能主要依靠自由电子,自由电子数量越多,导电能力就越强,电阻率就越低。P型单晶硅是在硅中掺入硼元素制成的,它的导电性能主要依靠空穴,空穴数量越多,导电能力就越强,电阻率就越低。
半导体车间硼来源
答:
它是一种常用的硼源,可以通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等
工艺
将硼
掺杂
到半导体材料中。2、硼酸:硼酸是一种无色晶体,具有良好的溶解性和稳定性。它可以通过湿法掺杂(如离子注入)的
方式
将硼掺杂到半导体材料中,同时也可以用作金属蚀刻液和清洗剂等。3、甲硼烷:甲硼烷是一种无色...
什么是pn结
答:
pn结是半导体中非常重要的一种结构,采用不同的
掺杂工艺
,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区。从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然,给它加一个反方向的更大...
用一种特殊的
工艺
导向纯硅或纯锗中掺入少量三价元素如硼和铝等这样就...
答:
。硼是P型
掺杂
剂,掺入硅中后,硼原子会提供一个额外的价电子,使硅形成多余的空穴,于是硅就变成了P型半导体。而铝是N型掺杂剂,掺入硅中后,会形成电子空穴,使硅变成N型半导体。通过控制掺杂量和掺杂类型,就能在硅或锗中制造出需要的PN结构或各种半导体元件。这是半导体材料技术中的重要处理
工艺
。
聚苯胺的合成
答:
(1) 化学合成法 化学合成法是利用氧化剂作为引发剂在酸性介质中使苯胺单体发生氧化聚合,具体实施
方法
有如下
几种
。① 化学氧化聚合法 聚苯胺的化学氧化聚合法,是在酸性条件下用氧化剂使苯胺单体氧化聚合。质子酸是影响苯胺氧化聚合的重要因素,它主要起两方面的作用:提供反应介质所需要的pH值和以
掺杂
剂的
形式
进入聚...
半导体扩散
工艺
是什么
答:
在当今的亚微米
工艺
中,由于浅结、短沟的限制,硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用,但是退火仍然以不同的
形式
出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质,减少缺陷,并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷
掺杂
由于磷掺杂的控制精度较底,它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。
半导体材料的
掺杂
浓度如何计算的?
答:
而杂质原子则不同,杂质的种类、含量、分布等都可在半导体晶体的制备过程中通过适当的
方法
进行控制,进而比较准确控制半导体的导电性能。因此,在工程实际中,人们往往利用
掺杂
来获取具有目标性能的半导体材料。掺杂是为控制半导体的性质,人为掺入杂质的
工艺
过程。掺杂杂质一般为替位式掺杂,即由杂质原子取代...
均匀
掺杂
的半导体什么意思
答:
掺杂
(英语:doping)是半导体制造
工艺
中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。
如何确定
掺杂
的离子形成哪种缺陷
答:
(1)
掺杂
温度低。离子注入是在高真空中、在室温或低温下进行的,可以避见高温扩散中所引进的热缺陷或基片的热变形。(2)易于控制杂质的浓度分布。适当控制注入剂量和能量.可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注入离子的束流、能量和...
...前端总线,核心的制造
工艺
"这些CPU的专业名词啊?
答:
这一
工艺
改变
掺杂
区的导电
方式
,使得每个晶体管可以通、断、或携带数据。将此工艺一次又一次地重复,以制成该 CPU 的许多层。不同层可通过开启窗口联接起来。电子以高达 400MHz 或更高的速度在不同的层面间流上流下,窗口是通过使用掩膜重复掩膜、刻蚀步骤开启的。窗口开启后就可以填充他们了。窗口中填充的是种最...
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