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掺杂工艺几种方式
什么是外延
工艺
?
答:
一般而言,一项完整的外延
工艺
包括3个环节:首先,根据需要实现的工艺结果对硅片进行预处理,包括去除表面的自然氧化层及硅片表面的杂质,对于重
搀杂
衬底硅片则必须考虑是否需要背封(backseal)以减少后续外延生长过程中的自搀杂。然后在外延工艺过程中需要对程式进行优化,如今先进的外延设备一般为单片反应腔,...
cpu的制造
工艺
指的是什么
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
为什么pn结击穿电压随
掺杂
浓度升高而降低?
答:
在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的
掺杂工艺
,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~...
外延生长的
工艺
进展
答:
自
掺杂
使外延层杂质浓度不均匀。若将反应管中的压力降到约 160托,即可有效地减少自掺杂。②低温外延:为得到衬底与薄外延层之间的突变结,需要降低生长温度,以减少基片中的杂质向外延层的自扩散。采用He-SiH4分解、SiH2Cl2热分解以及溅射等
方法
都可明显降低温度。③选择外延:用于制备某些特殊器件,衬底上有...
为什么
掺杂
会是金属性变为半导体
答:
所半导体材料都需要原料进行提纯要求纯度69高达119提纯两类类改变材料化组进行提纯称物理提纯;另类元素先变化合物进行提纯再提纯化合物原元素称化提纯物理提纯真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等使用区域精制化提纯主要电解、络合、萃娶精馏等使用精馏 由于每种都定局限性使用
几种
提纯相结合
工艺
流程获合格材料绝...
半导体外延生长有哪些
方式
答:
一般而言,一项完整的外延
工艺
包括3个环节:首先,根据需要实现的工艺结果对硅片进行预处理,包括去除表面的自然氧化层及硅片表面的杂质,对于重
搀杂
衬底硅片则必须考虑是否需要背封(backseal)以减少后续外延生长过程中的自搀杂。然后在外延工艺过程中需要对程式进行优化,如今先进的外延设备一般为单片反应腔,...
为什么pn结击穿电压随
掺杂
浓度升高而降低?
答:
在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的
掺杂工艺
,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8...
什么是电子三极管?电子三极管与晶体三极管又有什么区别
答:
正是由于这些原因,三极管被推向市场后得到了非常广泛的应用,并且很快成为了主流器件。上世纪70年代以后,晶体管铺天盖地的广泛应用几乎完全将电子管挤出市场,现在,除了少数特殊应用电路外,电子管已经完全淘汰,很难再寻觅它的痕迹。下图是
几种
电子管:下图是几种晶体三极管:...
晶体硅太阳电池制备的基本
工艺
?
答:
太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后,已经制成PN结,可以在光照下产生电流,为了将产生的电流导出,需要在电池表面上制作正、负两
个
电极。制造电极的
方法
很多,而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产
工艺
。丝网印刷是采用压印的
方式
将预定的图形印刷在基板上,该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和...
外频和二级缓存有什么必要的联系吗 详细点 我很菜
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
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