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硅片掺杂方法
半导体制作工艺---
掺杂
答:
二氧化硅层将阻挡
掺杂
原子进入硅表面。(2)在
硅片
表面的二氧化硅层上确定“窗口”(window)。该窗口的大小和形状对应于需要的掺杂区域。(3)用腐蚀剂去掉窗口内的二氧化硅,但不除去硅,使窗口的硅表面暴露在外。(4)把整个硅片置于掺杂源下,通过扩散或离子注入使掺杂原子进入二氧化硅未覆盖的区域中,...
n型
掺杂
一般是掺入?
答:
n型掺杂一般掺入:磷元素 当硅片被掺入硼或磷时,它的导电性就显著的改变了
。通常情况下,一个纯硅片中是没有自由电子的,它所有的四个价电子都被锁住在与相邻硅原子的共价键中,由于没有自由电子,外加电压几乎无法导致电子流过硅片。把磷加入到硅晶片中后,情况将发生改变。与硅不同,磷有五个...
太阳能电池片加工中的
掺杂
与扩散原理?
答:
半导体的掺杂扩散,
主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理
。在太阳能的硅片中,把杂质原子的气相源靠近硅片,加热后,使其慢慢扩散,杂质原子会慢慢的深入硅片中,浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料,由此制出各式各样的半...
硅的两个
掺杂
状态是什么?
答:
P型和N型硅都是通过
掺杂
过程得到的。在P型硅中,硅被掺入三价元素(如硼),这些元素有三个价电子可以形成共价键,但缺少一个电子来填满硅的价带,因此形成了“空穴”,电子可以跳入这个空穴,使得空穴向反方向移动,形成了电流。而在N型硅中,硅被掺入五价元素(如磷),这些元素有一个额外的电...
什么是扩散炉?它有什么用处?
答:
虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,
但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法
。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氢氧合成)两种,扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备,...
什么是太阳能电池的背结?
答:
如果将扩散后的
硅片
直接金属化,相当于低电阻的高
掺杂
n型硅联通了正反两面的金属,太阳能电池本身被短路。为了解决这一问题,需要在扩散后将这一短路通路切断。在“去背结”出现前,采用的
方法
是edge isolation刻边,用高能的等离子去掉硅片边缘的薄薄一层,这时正反两面还是都有n型扩散区,但背面的n型...
硅片
制作的工艺流程
答:
7.
掺杂
和扩散:在
硅片
表面或特定区域进行掺杂,通过离子注入或扩散等
方法
引入杂质,以调整硅片的导电性能和器件特性。8. 金属薄膜沉积:在硅片表面沉积金属薄膜,通常通过物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等技术实现。金属薄膜可用于电极、连线和连接器等器件结构。9. 裂解:通过特定工艺,对硅片...
硅片
反应成光伏电池会有哪些化学反应?
答:
4.
掺杂
:为了调节
硅片
的导电性质,需要在表面或内部掺入杂质。最常用的是在硅片表面掺入磷(P)或硼(B)等元素,形成N型或P型硅。这涉及到杂质原子与硅原子之间的化学反应。5. 金属化:在形成光伏电池的结构中,需要在硅片表面沉积金属电极,例如铝(Al)或银(Ag)等。这通常通过蒸镀、溅射或...
pn结怎么形成
答:
在制造PN结的半导体材料上,先把一块
硅片
分别进行在表面分别进行P型和N型单向
掺杂
,这样就形成了一个具有两种不同电性的区域。然后将这两块区域互相接触并加热,使它们彼此扩散,在交接处形成一个极薄的近似无掺杂层,即PN结。在原始硅片上进行掺杂时,P型半导体被掺杂了三价离子(如铝),而N型半导体...
“p型硅”和“n型硅”分别
掺杂
什么元素?
答:
把磷加入到硅晶片中后,情况将发生改变。与硅不同,磷有五个价电子,而不是四个。其中,四个价电子和相邻的硅原子的四个价电子形成共价键。但第五个价电子没有电子结合,将飘浮在原子周围。如果一个电压施加到硅-磷混合物,这个未被束缚电子将穿过
掺杂
的
硅片
向电压的正极移动,向混合特中掺杂的磷...
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硅的掺杂类型
硅半导体掺杂
硅片共掺杂