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掺杂工艺几种方式
求单晶电阻率参杂公式
答:
Cm 为母合金中
掺杂
剂的浓度,keff为有效分凝系数,CS 为晶体肩部位置处目标电阻率对应的杂质浓度。因而掺入的母合金的重量可由下式计算得到: m=CS/[(keff.Cm -cs)a] 在减压氩气气氛下,生长硅单晶速度为lmm/min时,
几种
常用掺杂元素在硅中的有效分凝系数的一组数据是:磷为0....
三元前躯体碳酸盐从反应釜出来上清夜偏绿 是什么原因
答:
混合
掺杂
对NMC的循环和倍率性能改善比较明显,材料的热稳定性也有一定提高,是目前国际主流正极厂家采用的主要改性
方法
。NMC掺杂改性关键在于掺杂什么元素,如何掺杂,以及掺杂量的
多少
的问题,这就要求厂家具有一定的研发实力。NMC的杂原子掺杂既可以在前驱体共沉淀阶段进行湿法掺杂,也可以在烧结阶段进行干法掺杂,只要
工艺
得当...
PN结的原理
答:
这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。 PN结是由一
个
N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。 在一块完整的硅片上,用不同的
掺杂工艺
使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的...
高镍三元材料电压是
多少
伏
答:
混合
掺杂
对NMC的循环和倍率性能改善比较明显,材料的热稳定性也有一定提高,是目前国际主流正极厂家采用的主要改性
方法
。NMC掺杂改性关键在于掺杂什么元素,如何掺杂,以及掺杂量的
多少
的问题,这就要求厂家具有一定的研发实力。NMC的杂原子掺杂既可以在前驱体共沉淀阶段进行湿法掺杂,也可以在烧结阶段进行干法掺杂,只要
工艺
得当...
二极管具有单向导电性,为什么二极管具有单向导电性呢?还有它在实际电路...
答:
首先,纠正一下你的说法,不是“二极管具有单向导电性”,应该说是“PN结具有单向导电性”。由于通常情况下的二极管具有一
个
PN结所以可以简单地理解为它具有单向导电的性能,但这不是他作为二极管后具有的特性。具体理由要从PN结开始说起:采用不同的
掺杂工艺
,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,...
水滴角测试能表征半导体材料表面的氧化程度吗
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
cup,lcd等这些东西,里面的晶体管和像素都非常的小,请问是如何加工的呢...
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
CPU芯片制造为什么那么难
答:
芯片产业有其独特的内部结构和产业特征。芯片产业链分为五个子链,或者说芯片产业分为五大产业。第一,设计。如何整合上亿条线,首先需要设计。全球芯片设计最大的公司是英国ARM,而美国EDA在设计软件方面占据垄断地位。最近芯片界最大的新闻就是美国的英伟达要向英国收购ARM,届时美国在芯片行业的垄断地位...
调节cmos器件阈值的
工艺方法
一般有哪
几种
答:
离子注入、栅极
工艺
调节、氧化物工艺调节等。1、离子注入:通过在制造过程中向半导体材料中注入特定的离子,改变材料的电性质。对于NMOS器件,可以使用P型
掺杂
剂(如硼)进行注入,增加阈值电压;对于PMOS器件,可以使用N型掺杂剂(如磷)进行注入,降低阈值电压。2、栅极工艺调节:通过改变栅极材料的组成或...
半导体集成电路生长
工艺
答:
一般而言,一项完整的外延
工艺
包括3个环节:首先,根据需要实现的工艺结果对硅片进行预处理,包括去除表面的自然氧化层及硅片表面的杂质,对于重
搀杂
衬底硅片则必须考虑是否需要背封(backseal)以减少后续外延生长过程中的自搀杂。然后在外延工艺过程中需要对程式进行优化,如今先进的外延设备一般为单片反应腔,...
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