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掺杂工艺几种方式
半导体材料中,离子注入与离子
掺杂
有什么区别?
答:
离子注入是离子参杂的一种。 随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心。在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势。目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的
掺杂工艺
。 ………离...
半导体材料中,离子注入与离子
掺杂
有什么区别?
答:
离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心。在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势。目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的
掺杂工艺
。………离子...
介绍下半导体的
掺杂
问题?
答:
不是所有的
掺杂
都是有效的,因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分,磷硼没有缔结成四价键,而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对半导体的认识会有收获。此外,氮...
前端总线.主频.外频.cpu之间是什么关系?
答:
这一
工艺
改变
掺杂
区的导电
方式
,使得每个晶体管可以通、断、或携带数据。将此工艺一次又一次地重复,以制成该 CPU 的许多层。不同层可通过开启窗口联接起来。电子以高达 400MHz 或更高的速度在不同的层面间流上流下,窗口是通过使用掩膜重复掩膜、刻蚀步骤开启的。窗口开启后就可以填充他们了。窗口中填充的是种最...
怎样算半导体中的
掺杂
浓度?
答:
而杂质原子则不同,杂质的种类、含量、分布等都可在半导体晶体的制备过程中通过适当的
方法
进行控制,进而比较准确控制半导体的导电性能。因此,在工程实际中,人们往往利用
掺杂
来获取具有目标性能的半导体材料。掺杂是为控制半导体的性质,人为掺入杂质的
工艺
过程。掺杂杂质一般为替位式掺杂,即由杂质原子取代...
怎么算
掺杂
浓度?
答:
而杂质原子则不同,杂质的种类、含量、分布等都可在半导体晶体的制备过程中通过适当的
方法
进行控制,进而比较准确控制半导体的导电性能。因此,在工程实际中,人们往往利用
掺杂
来获取具有目标性能的半导体材料。掺杂是为控制半导体的性质,人为掺入杂质的
工艺
过程。掺杂杂质一般为替位式掺杂,即由杂质原子取代...
微处理器内部的总线被称为
答:
这一
工艺
改变
掺杂
区的导电
方式
,使得每个晶体管可以通、断、或携带数据。将此工艺一次又一次地重复,以制成该 CPU 的许多层。不同层可通过开启窗口联接起来。电子以高达 400MHz 或更高的速度在不同的层面间流上流下,窗口是通过使用掩膜重复掩膜、刻蚀步骤开启的。窗口开启后就可以填充他们了。窗口中填充的是种最...
如何解决三元材料技术及安全难题
答:
混合
掺杂
对NMC的循环和倍率性能改善比较明显,材料的热稳定性也有一定提高,是目前国际主流正极厂家采用的主要改性
方法
。NMC掺杂改性关键在于掺杂什么元素,如何掺杂,以及掺杂量的
多少
的问题,这就要求厂家具有一定的研发实力。NMC的杂原子掺杂既可以在前驱体共沉淀阶段进行湿法掺杂,也可以在烧结阶段进行干法掺杂,只要
工艺
得当...
掺杂
所需粒径是什么
答:
掺杂
是将某些外来元素引入半导体材料中,以改变其电子结构和电学性质的过程。掺杂所需粒径大小与掺杂元素的种类有关,不同的元素需要不同的粒径大小来保证其均匀地分布在半导体材料中。掺杂所需粒径大小一般由实验测定得出,也可以通过理论计算来确定。在半导体
工艺
制备过程中,掺杂所需粒径大小的控制非常...
半导体单晶生长
方式
中直拉法和悬浮法的优缺点
答:
半导体单晶生长
方式
中直拉法和悬浮法的优缺点如下:1、直拉法优点:
工艺
成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产
方法
。2、直拉法缺点:直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相
掺杂
,受杂质分凝、...
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