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掺杂工艺几种方式
晶体三极管实现电流放大作用的
工艺
条件是?
答:
1. 正确的材料选择:晶体三极管一般采用硅或者砷化镓等半导体材料制作,选择合适的材料可以提高器件的性能。2. 准确的晶体管结构设计:晶体三极管的结构包括发射极、基极和集电极,这三
个
区域的尺寸和形状需要设计得合理,以实现电流放大的功能。3. 精确的
掺杂
和扩散
工艺
:晶体三极管的发射极、基极和集电极需要...
电工问题:为什么说PN结具有单向导电性?
答:
PN结的单向导电性是它本身的特性 这就好比是辣椒是辣的,白糖是甜的 下面的内容是我给电工学员讲课的时候用的一段课件内容 问题26:二极管的工作原理是什么?为什么它具有单向导通性?在分析二极管的原理之前,我们先要了解三个概念 一:本征半导体,如图所示 原子最外层的电子为价电子,硅原子的外层电子...
为什么芯片很难做出来
视频时间 01:44
CPU 的制做过程和
工艺
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
简述自对准硅化物
工艺
流程
答:
再采用选择腐蚀法把未
掺杂
多晶硅腐蚀去,暴露的基区宽度小于1微米。采用热氧化,同时形成P++区。去掉氮化硅,不用掩模进行硼注入,自对准形成P+基区。再在多晶硅发射极中掺入砷,扩散形成发射区。其他后续工序与通常的双极型集成电路
工艺
相同。用这种
方法
制成的双极型晶体管,实现了多晶硅发射极与P+基区...
什么是倒
掺杂
?,听说可以防止LATCH UP?
答:
先植入再阱驱
工艺
形成的well,表面离子浓度最高,浓度随深度减小。所谓倒
掺杂
阱,是指先高能量大剂量植入离子到所需的深度,再低能量小剂量植入离子。不需长时间高温驱入,离子浓度最高的地方不是在表面。横向扩散比较小。不知道我说的对不对!Retrograded well,倒阱,用高能离子注入将杂质打入阱底部,...
《AFM》:一种自下而上形成硅图案化的新
方法
答:
典型的微结构
工艺
利用光刻掩模法以自上而下的
方法
在硅衬底上产生任意图案。来自德国莱布尼斯-德累斯顿聚合学院等单位的研究人员 报道了一种新的自下而上的微结构制作方法,该方法在刻蚀过程中无需使用蚀刻掩模或模板即可实现n
掺杂
硅衬底的图案化。 相反,这里开发的结构化过程涉及在照明下执行的简单...
为什么芯片很难做出来
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
CPU散热 意义
答:
这一
工艺
改变
掺杂
区的导电
方式
,使得每个晶体管可以通、断、或携带数据。将此工艺一次又一次地重复,以制成该CPU的许多层。不同层可通过开启窗口联接起来。电子以高达400MHz或更高的速度在不同的层面间流上流下,窗口是通过使用掩膜重复掩膜、刻蚀步骤开启的。窗口开启后就可以填充他们了。窗口中填充的是种最普通的...
求单晶电阻率参杂公式
答:
Cm 为母合金中
掺杂
剂的浓度,keff为有效分凝系数,CS 为晶体肩部位置处目标电阻率对应的杂质浓度。因而掺入的母合金的重量可由下式计算得到: m=CS/[(keff.Cm -cs)a] 在减压氩气气氛下,生长硅单晶速度为lmm/min时,
几种
常用掺杂元素在硅中的有效分凝系数的一组数据是:磷为0....
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