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硅掺杂工艺
半导体材料中,离子注入与离子
掺杂
有什么区别?
答:
离子注入是离子参杂的一种。 随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心。在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势。目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的
掺杂工艺
。 ………离...
硅片是什么
答:
硅片通常由高纯度单晶硅材料制成,具有良好的电学性能和机械性能。它的表面通常经过精细的加工和处理,以获得高度平坦度和纯净度。硅片的主要特点和用途如下:1. 半导体制造:硅片是制造集成电路(IC)的基本材料之一。通过在硅片表面沉积、刻蚀、
掺杂
等
工艺
步骤,可以制备出微小的电子元件和电路结构,如晶体...
硅片是干什么用的?
答:
使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。面临挑战:1、切割线直径 更细的切割线意味着更低的截口损失,也就是说同一个
硅
块可以生产更多的硅片。然而,切割线更细更容易断裂。2、荷载 每次切割的总面积,等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。
芯片的主要材料是
硅
吗
答:
使用硅的原因 “这主要是因为,硅的化学性质较稳定,具有优异的半导体特性;其次,硅的储量极为丰富,在地壳中的丰度高达27.72%。”北京理工大学材料学院副研究员常帅在接受科技日报记者采访时表示,此外如今单晶硅制取技术十分成熟,相关的基于硅片的半导体制造
工艺
如
掺杂
、光刻等也已普及,制造成本相对可控...
硼
掺杂硅
饱和浓度是多少
答:
10??至10??/cm?。硼
掺杂硅
的饱和浓度取决于具体的应用和
工艺
要求。一般来说,硼是一种常用的P型掺杂剂,用于在硅中引入正电荷载流子(空穴)。硼掺杂硅的饱和浓度通常以单位体积中硼原子的数量来表示,单位是/cm?。常见的硅片掺杂浓度范围是10??至10??/cm?。
非晶态半导体和硫系薄膜有什么关系?
答:
同单晶材料相比,非晶态半导体材料制备
工艺
简单,对衬底结构无特殊要求,易于大面积生长,
掺杂
后电阻率变化大,可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大,转换效率高,面积大,已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体...
可见光光电探测器制备的半导体材料是什么
答:
超浅P-N或P-I-N结(深度大于20纳米)的制备相当困难,传统方法是采用离子注入和精确控制热扩散
工艺
来制备浅结,但是在硅表面附近易形成P+N结,高
掺杂
的P+区域会增加载流子的表面复合,降低光电传感器的响应度。一些新开发的浅结技术(比如δ-掺杂技术或激光掺杂技术)制备工艺相当复杂,导致硅基光电传感器...
外延
工艺
是什么意思啊?
答:
杂质气体可以分为N型和P型两类:常用N型杂质气体包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3),而P型则主要是硼烷(B2H6)。硅及锗硅外延
工艺
在现代集成电路制造中应用十分广泛,概括起来主要包括:1.硅衬底外延:硅片制造中为了提高硅片的品质通常在硅片上外延一层纯净度更高的本征硅;或者在高
搀杂硅
衬底上生长外延层...
两个问题:1、H可以作为
掺杂
杂质注入半导体
硅
中么?是N型还是P型?2、相 ...
答:
1、不可以。2、氢一共就一个电子,原子核的力量太强了。3、从
掺杂
技术上看,主要是热扩散和注入技术,从
工艺
角度来看,氢也不适合采用这两种技术。
硅片切割过程中回有毒吗
答:
切割废屑主要是Si屑.粗制硅片切割,就是将硅锭切割成硅片,目前基本采用线切割法,添加SiC切割液,Si和SiC本身均无毒,但一般硅锭中会
掺杂
P,B,As等元素以得到需要的硅片,因而切割废液,废屑等具一定毒性,但毒性极低,因为杂质含量是非常非常低的.
工艺
制作完成的IC硅片(晶圆)的切割,或太阳能晶圆的...
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