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硅掺杂工艺
半导体集成电路生长
工艺
答:
杂质气体可以分为N型和P型两类:常用N型杂质气体包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3),而P型则主要是硼烷(B2H6)。硅及锗硅外延
工艺
在现代集成电路制造中应用十分广泛,概括起来主要包括:1.硅衬底外延:硅片制造中为了提高硅片的品质通常在硅片上外延一层纯净度更高的本征硅;或者在高
搀杂硅
衬底上生长外延层...
晶
硅
太阳能电池工作原理
答:
2.
硅
太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。 上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)
工艺
。此外,液相外延法(...
什么是外延
工艺
?
答:
杂质气体可以分为N型和P型两类:常用N型杂质气体包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3),而P型则主要是硼烷(B2H6)。硅及锗硅外延
工艺
在现代集成电路制造中应用十分广泛,概括起来主要包括:1.硅衬底外延:硅片制造中为了提高硅片的品质通常在硅片上外延一层纯净度更高的本征硅;或者在高
搀杂硅
衬底上生长外延层...
从
硅
料到太阳能电池片的生产流程,有谁知道
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
硅
太阳能电池,从晶体与非晶体角度分为哪几种?
答:
这种制备非晶硅薄膜的
工艺
,主要取决于严格控制气压、流速和射频功率,对衬底的温度也很重要。非晶硅太阳电池的结构有各种不同,其中有一种较好的结构叫PiN电池,它是在衬底上先沉积一层掺磷的N型非晶硅,再沉积一层未
掺杂
的i层,然后再沉积一层掺硼的P型非晶硅,最后用电子束蒸发一层减反射膜,并蒸...
谁了解太阳能电池片得
工艺
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
论述PN结单向导电的成因
答:
采用不同的
掺杂工艺
,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。PN结:一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。单向导电性:在 P 型...
LED芯片制造
工艺
流程是什么?
答:
一位芯片制造领域的专家向北青报记者介绍,一颗芯片的制造
工艺
非常复杂,一条生产线大约涉及50多个行业、2000-5000道工序。就拿代工厂来说,需要先将“砂子”提纯成
硅
,再切成晶元,然后加工晶元。晶元加工厂包含前后两道工艺,前道工艺分几大模块——光刻、薄膜、刻蚀、清洗、注入;后道工艺主要是封装——互联、打线、密...
hlt电池是什么电池?hlt电池是什么东西
答:
所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体
硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜,采取该
工艺
措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%,开路电压达到729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。上述就是关于hlt电池是什么电池的内容介绍了。
从
硅
料到太阳能电池片的生产流程,有谁知道?
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
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