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硅掺杂工艺
非晶
硅
太阳能电池退火原理及作用什么?
答:
2.
硅
太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。 上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)
工艺
。此外,液相外延法(...
太阳能电池片的生产
工艺
?
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量...
碳化硅外延晶片的概念是什么?
答:
外延:在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求(厚度和
掺杂
浓度)、与衬底晶向相同的单晶层,犹如在原来的晶体向外延伸一段,称之为外延。碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。使用领域、行业:外延晶片主要用于各种分立器件的制作,比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET...
铝合金6系和7系的区别
答:
6061和7005两种铝合金在制造自行车的车架估计有十多年了吧已经是发展的很成熟的铝材 6061是铝合金的代号 主要
掺杂
1%镁和0.6%的硅 7005也是铝合金的代号 主要掺杂4.5%锌和1.4%镁 T6就是热处理
工艺
比如 6061-T6就是一只经过T6热处理的6061车架因为经过热处理铝的强度会变大 7005 T6 抗张度是 51000...
太阳电池制绒设备结构
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
请高手详细介绍一下半导体缺陷理论,急用!@!
答:
如果在单晶硅上掺入三价硼原子,则硼原子与
硅
原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多,因此整个晶体结构基本不变,只是某些位置上的硅原子被硼原子...是采用一定的
工艺
,把一个电路中所需要的晶体管、电阻、电容和电感等,制作在一小块或几小块晶片或陶瓷基片上,再用适当的方法进行互连而封装在一个管壳内...
光合
硅
能蓄电池有什么缺点
答:
缺点:1、维护工作量大,寿命较短。2、建筑面积大,安装工期长,造价高。3、需要装设充电、浮充电等附属设备。4、光合
硅
能蓄电池的自放电性能、抗衰减性能、浮充性能、使用寿命、安全性能都不是很好。
硅脂和硅胶的区别?
答:
填充效果较差,其性能提高幅度并不大,而且使硅脂具有导电性,使用不当容易造成短路。当然现在
工艺
先进了不是掺入纯净的金属粉末,而是一些导热很强的金属氧化物,所以现在的导热脂不用害怕会短路CPU。笔者曾用万用表查过导热脂的电阻率,酷冷、TT、STAR的电阻率都在兆欧姆以上。
砷化镓 是怎么合成的?
答:
砷化镓材料的制备 与硅相仿,砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料,也可以采用离子注入
掺杂工艺
直接制造集成电路(采用高质量、大截面、半绝缘砷化镓单晶)。重点是液封直拉法(即液封乔赫拉斯基法,简称LEC法),但水平舟生长法(即水平布里其曼法)因制出的单晶质量和...
电脑中硅脂和硅胶的区别?
答:
硅脂是电脑里用于连接芯片与散热器,让两者紧无缝接触,已达均匀散热的目的。电脑中硅脂和硅胶的区别:一、粘性不同 硅脂粘性小,不容易干;硅胶容易干,粘性大。有很多人经常把硅脂喊成硅胶,其实是不正确的,硅胶是一种是一种高活性吸附材料,有粘结力,要是用这个去涂CPU,有可能把散热器给粘上面...
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