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硅掺杂工艺
单晶硅为什么分N型硅片和P型硅片呢?
答:
1.
掺杂工艺
:由于掺杂工艺的区别,单晶硅片可分为P型和N型两类。P型制作工艺简单,成本较低。N型工艺要求更高,成本更高。2.制作成本:P型单晶硅制作成本较低,而N型单晶硅的制作成本较高。3.性能:N型单晶硅可生产效率更高的异质结电池(HJT)、钝化接触电池(TOPCon)、全背电极接触晶硅电池(IBC...
锗与
硅
做半导体材料 各自的优缺点
答:
先说说硅:作为现在最广泛应用的半导体材料,它的优点是多方面的.1)硅的地球储量很大,所以原料成本低廉.2)硅的提纯
工艺
历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平.3)Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美.通过后退火工艺可以获得极其完美的界面.4)关于硅的
掺杂
和扩散工艺,研究得十分广泛,前期...
锗与
硅
做半导体材料 各自的优缺点
答:
先说说硅:作为现在最广泛应用的半导体材料,它的优点是多方面的。1)硅的地球储量很大,所以原料成本低廉。2)硅的提纯
工艺
历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平。3)Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美。通过后退火工艺可以获得极其完美的界面。4)关于硅的
掺杂
和扩散工艺,研究得十分广泛...
介绍下半导体的
掺杂
问题?
答:
而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对半导体的认识会有收获。此外,氮元素电负性太大,与
硅掺杂
无法形成四价,只能是三价键,不可以导电的。
请问太阳能电池(硅片)的生产
工艺
原理是怎样的?
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
太阳能电池片制造的生产
工艺
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性...
类
硅
是什么
答:
1)硅的地球储量很大,所以原料成本低廉。2)硅的提纯
工艺
历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平。3)Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美。通过后退火工艺可以获得极其完美的界面。4)关于硅的
掺杂
和扩散工艺,研究得十分广泛,前期经验很多。不足:硅本身的电子和空穴迁移速度在未来很难满足...
为什么CPU只用
硅
做,而不用能耗更低的锗做?
答:
锗贵,发热大漏电大都是原因,但是这些还不是最根本的。关键是硅的
工艺
太方便了。硅做提纯,HF轻松一步搞到99.9以上。硅做晶圆,单晶柱随便拉。硅做绝缘层,有“上帝创造的”完美的硅/氧化硅界面。(这个是最重要的,所以换hkmg之后各种替代硅的材料才开始兴起)硅做
掺杂
,金刚石结构退火一下晶格...
简述自对准
硅
化物
工艺
流程
答:
按照这种自对准工艺,栅与源和漏的覆盖由杂质侧向扩散完成,比铝栅工艺的覆盖电容要小很多。采用离子注入
掺杂工艺
的杂质侧向扩散更小,用它代替硅栅工艺中的热扩散工艺,能进一步减小栅对源和漏的覆盖电容。此外,在铝栅工艺中,即使铝栅电极比沟道短,也可增加一步离子注入工艺填充栅区旁的未衔接部分,...
什么是
硅
平面
工艺
答:
例如,扩散掺杂改用离子注入
掺杂工艺
;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅...
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