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硅掺杂工艺
求单晶电阻率参杂公式
答:
直拉法生长的
硅
单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响。
掺杂
估算所考虑的只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率。在忽略了一些次要因素后,可以对掺杂量进行大致的估算,作为试拉时的依据,然后可以再根据试拉的结果进行修正。 直拉法生长硅晶体时炉膛中的气氛有正压、减压氩气(也可用氮气)和...
太阳能电池硅片生产过程都有哪些工种
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量...
能带结构图怎么理解?
答:
采用不同的
掺杂工艺
,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 推荐...
非晶
硅
太阳能电池退火原理及作用什么?
答:
2.
硅
太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。 上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)
工艺
。此外,液相外延法(...
太阳能电池片生产
工艺
,哪位大神可以帮忙?
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量...
急求单晶电阻率参杂投炉计算公式
答:
直拉法生长的
硅
单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响。
掺杂
估算所考虑的只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率。在忽略了一些次要因素后,可以对掺杂量进行大致的估算,作为试拉时的依据,然后可以再根据试拉的结果进行修正。 直拉法生长硅晶体时炉膛中的气氛有正压、减压氩气(也可用氮气)和...
硅氧
硅
碳负极材料的存储环境
答:
针对单质硅存在的体积膨胀导致循环稳定性差的问题,目前主要的解决措施为纳米化和复合化,实际应用也主要是通过与碳材料
掺杂
或硅材料结构端设计改性来提升其导电性及锂离子传输性。本文主要结合不同掺杂比例的硅碳材料及不同烧结
工艺
的氧化亚硅基材料,结合扫描电镜、粉末电导率、压实密度等测试设备,从形貌...
PN结具有( )导电特性。 A、双向 B、单向 C、不确定
答:
PN结具有( B、单向)导电特性。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上,用不同的
掺杂工艺
使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由...
P型层衬底
掺杂
浓度越高,越不容易形成沟道?
答:
错误。当浓度越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越宽,沟道电阻越小。沟道MOS管制作
工艺
,用以解决现有技术中制作的P型高浓度
掺杂硅
由于晶格缺陷导致的漏电问题。
太阳能电池如何生产
答:
因此,必须对太阳能电池周边的
掺杂硅
进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一
工艺
。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量...
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