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硅掺杂工艺
光谱检测
硅
有波动的原因
答:
75eV左右,光吸收率不同。非晶硅沉积是本身就引入了H原子,钝化了Si悬挂键,氢化非晶硅本身就是一种良好的钝化材料,非晶硅电池不需要钝化层。硅片本身就分为P、N型,会出现相应电池。目前工业常用的是P型硅片,是因为对P型硅片进行掺杂的B,易于在硅片中均匀分布,N型硅片
掺杂工艺
不易于控制。
硅
光电池对入射光的波长有何要求
答:
硅光电池对入射光的波长接受如下:硅片接受的光谱是320-1100nm ,峰值波长是850 或者是940 ,硅片
掺杂工艺
不同。材料不同,峰值不同,还有750的。硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN 结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成...
什么是PN结?
答:
PN结:采用不同的
掺杂工艺
,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性 以下内容转自知乎。作者:acalephs链接:https://www.zhihu.com/...
hit电池是什么意思
答:
HIT,中文名称是太阳能电池,外文名称是Heterojunction with intrinsic Thinlayer,即采用HIT结构的硅太阳能电池,开路电压729mV。采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体
硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜,采取该
工艺
措施后,改善了PN结...
硅片是怎样制成集成电路的呢?
答:
1. 从单晶硅切割下来的硅片经过磨光和抛光处理,以获得平滑的表面。2. 硅片表面氧化,形成一层氧化硅薄膜,为后续的光刻步骤做准备。3. 进行光刻
工艺
,通过光刻机将电路图案转移到硅片上。4. 进行埋层扩散,将特定的
掺杂
元素扩散到硅片表面,形成电路的埋层。5. 进行外延生长,以增强硅片的导电性或形成...
什么是太阳能电池的背结?
答:
光入射的那一面一般约定为正面,普通p型电池正面的pn结是最终需要使用的,而背面的则称为背结。在后续的金属化
工艺
中,负正电极需要分别与正反两面的n型硅和p型硅接触。如果将扩散后的硅片直接金属化,相当于低电阻的高
掺杂
n型硅联通了正反两面的金属,太阳能电池本身被短路。为了解决这一问题,需要在...
关于三极管的
掺杂
度
答:
这个主要是取决于三极管的工作原理,三极管的工作原理是发射极电子穿过基极,三极管之所以可以放大原因就在于
掺杂
度的不同,不同的浓度间接表示了不同的
关于太阳能电池板生产
工艺
和设备的一些问题
答:
我将尝试尽我所能的一一解答以上各个问题:1、“扩散炉”顾名思义就是用来扩散的炉子,在晶体硅太阳能电池的生产制造行业中,自然是用于对硅基片的扩散
掺杂
,制备P-N结结构。至于硅片的热氧化,只不过是扩散掺杂技术
工艺
的一个中间过程,是为了提高扩散工艺的稳定性和均匀性而设计的。但是一般氧化层...
半导体
硅
材料的制备
答:
区熔硅主要用于制作电力电子元件,纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。材料的纯度主要取决于硅多晶的制备
工艺
,同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及
掺杂
剂,特别是氧、碳含量的分布及其...
硅
光电池特性的研究中光电池对入射光的波长有何要求
答:
你用测试什么颜色的光就用什么颜色的光电池,我在网上看到的。人眼视觉函数曲线是350-750nm ,硅片接受的光谱是320-1100nm ,峰值波长是850 或者是940 ,硅片
掺杂工艺
不同。材料不同,峰值不同哦。还有750的。单色的是红650nm 绿520nm 蓝350nm ,举个例子,我用一个普通的硅光电池 LXD55CE...
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