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掺杂工艺几种方式
微加工的
掺杂工艺
答:
局部掺杂:在微系统和微电子器件的制造过程中
,经常需要对基片的局部衬底进行掺杂。一般都需要通过两步来完成:-第一步掺杂原子的沉积,通常采用离子注入等工艺手段把合适类型和剂量的掺杂原子注入局部衬-底指定区域的材料内部;-第二步通过阱推扩散工艺使掺杂原子重新分布。离子注入是利用一个特殊的粒子加速...
半导体
工艺
中
掺杂方式
有那些??详细些谢谢
答:
其它
掺杂
大多是在半导体生长过程中加入的 比如拉制GaAs单晶过程中掺入Si
半导体制作工艺
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掺杂
答:
芯片制造
工艺掺杂
扩散和离子注入主要内容5.15.25.35.45.5概述扩散离子注入
掺杂掺杂
质量评价实训扩散工艺规程为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂,核心步骤为:(1)在硅片表面生长一层二氧化硅层。该二氧化硅层除了保护硅片表面和绝缘外,其关键是作为掺杂杂质的阻挡层。二氧化硅层将阻挡掺杂原子进入硅表面。
半导体
工艺
中,
掺杂
有哪
几种方式
?
答:
两种
p型半导体
n型半导体
介绍下半导体的
掺杂
问题?
答:
而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体
掺杂
是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对半导体的认识会有收获。此外,氮元素电负性太大,与硅掺杂无法形成四价,只能是三价键,不可以导电的。
集成电路制造什么叫热扩散?
答:
掺杂
材料一般是用来改变半导体的导电性能,如将硼杂质掺杂到硅晶体中可制成P型半导体。掺杂材料与半导体晶体在高温下接触,杂质原子将通过热扩散逐渐扩散到晶体深处。热扩散是半导体制造中的重要
工艺
步骤之一,对于控制半导体器件的性能和可靠性有着重要的影响。详情咨询斯利通陶瓷电路板 ...
MEMS制造
工艺
的
掺杂
答:
本征半导体中载流子数目极少,导电能力很低。所以在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。
掺杂方法
主要扩散(Diffusion)和注入(Implantation)
中村修二是如何实现n
掺杂
和p掺杂
答:
中村修二实现p
掺杂
是靠控制
工艺
中的氢气浓度。实现n掺杂是改变气流的流速。经报道镁掺杂的氮化镓薄膜利,用电子束辐射可以实现空穴导电,但是中村修二实验发现只要控制工艺中的氢气浓度就,可以大规模地得到p型掺杂材料。二六族可以做蓝光,他做的是氢化镓,创新上面喷射的一个气流,它改变了流速,解决了...
掺杂
与注入的区别在哪?
答:
在半导体器件的生产中,离子注入技术与其它
掺杂工艺
相比,具有很多优点:1)注入的杂质不受靶材溶解度的限制。2)可以精确地控制掺杂杂质的数量和掺杂深度,保证了掺杂的精度和重复性,提高了成品率。3)离子注入不会产生类似热扩散那样严重的横向扩散。4)离子注入在大面积掺杂区域上具有非常好的均匀性。5...
单晶硅有哪
几种
类型?
答:
单晶硅有P型和N型两种类型。N型单晶硅是在硅中
掺
入磷元素制成的,它的导电性能主要依靠自由电子,自由电子数量越多,导电能力就越强,电阻率就越低。P型单晶硅是在硅中掺入硼元素制成的,它的导电性能主要依靠空穴,空穴数量越多,导电能力就越强,电阻率就越低。
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