光谱检测硅有波动的原因

Question

如题所述

Answer 1

上下表面光的干涉引起的。从这些干涉条纹中可以得到样品的色散关系，膜厚等。晶体硅内部是排列规则的硅原子。非晶硅是短程有序长程无序排列的硅原子，因此二者的带隙不同，Si，a-Si1.75eV左右，光吸收率不同。非晶硅沉积是本身就引入了H原子，钝化了Si悬挂键，氢化非晶硅本身就是一种良好的钝化材料，非晶硅电池不需要钝化层。硅片本身就分为P、N型，会出现相应电池。目前工业常用的是P型硅片，是因为对P型硅片进行掺杂的B，易于在硅片中均匀分布，N型硅片掺杂工艺不易于控制。