半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点

Question

如题所述

Answer 1

半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点如下：
1、直拉法优点：工艺成熟，可拉出大直径硅棒，是目前采用最多的硅棒生产方法。
2、直拉法缺点：直拉法中会使用到坩埚，而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中，会有自然对流存在，导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。
3、悬浮区熔法优点：多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比，去掉了坩埚，没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。
4、悬浮区熔法缺点：应用范围比较窄，不及直拉工艺成熟，单晶中一些结构缺陷没有解决。