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掺杂工艺几种方式
CPU 的制做过程和
工艺
答:
几个
世纪以前,该工艺最初是被艺术家们用来在纸上、纺织品上甚至在树木上创作精彩绘画的。在微处理器的生产过程中,该照相刻蚀工艺可以依照电路图形刻蚀成导电细条,其厚度比人的一根头发丝还细许多倍。接下来就是
掺杂工艺
。现在我们从硅片上已曝露的区域开始,首先倒入一化学离子混合液中。这一工艺改变...
半导体单晶生长
方式
中直拉法和悬浮法的优缺点
答:
半导体单晶生长
方式
中直拉法和悬浮法的优缺点如下:1、直拉法优点:
工艺
成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产
方法
。2、直拉法缺点:直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相
掺杂
,受杂质分凝、...
为什么pn结击穿电压随
掺杂
浓度升高而降低?
答:
在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的
掺杂工艺
,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~...
集成电路
工艺
原理试题总体答案
答:
6.提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。7.常规的硅材料抛光
方式
有:机械抛光,化学抛光,机械化学抛光等。8.热氧化制备SiO2的
方法
可分为四种,包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。9.硅平面
工艺
中高温氧化生成的非本征...
半导体外延生长有哪些
方式
答:
一般而言,一项完整的外延
工艺
包括3个环节:首先,根据需要实现的工艺结果对硅片进行预处理,包括去除表面的自然氧化层及硅片表面的杂质,对于重
搀杂
衬底硅片则必须考虑是否需要背封(backseal)以减少后续外延生长过程中的自搀杂。然后在外延工艺过程中需要对程式进行优化,如今先进的外延设备一般为单片反应腔,...
LED手电筒LED发光原理
答:
新型LED显示屏具有低功耗、高亮度、长寿命和小尺寸等优点。其发展历史从1965年第一款商用LED的诞生说起,当时的单价昂贵。1968年,通过氮
掺杂工艺
,LED效率显著提升,可以发出不同颜色的光。70年代,LED显示屏开始应用于钟表和计算器,尽管早期产品如手表售价高达2100美元,但随着应用的普及,价格下降,成为...
为什么
掺杂
会是金属性变为半导体
答:
所半导体材料都需要原料进行提纯要求纯度69高达119提纯两类类改变材料化组进行提纯称物理提纯;另类元素先变化合物进行提纯再提纯化合物原元素称化提纯物理提纯真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等使用区域精制化提纯主要电解、络合、萃娶精馏等使用精馏 由于每种都定局限性使用
几种
提纯相结合
工艺
流程获合格材料绝...
什么是倒
掺杂
?,听说可以防止LATCH UP?
答:
先植入再阱驱
工艺
形成的well,表面离子浓度最高,浓度随深度减小。所谓倒
掺杂
阱,是指先高能量大剂量植入离子到所需的深度,再低能量小剂量植入离子。不需长时间高温驱入,离子浓度最高的地方不是在表面。横向扩散比较小。不知道我说的对不对!Retrograded well,倒阱,用高能离子注入将杂质打入阱底部,...
求单晶电阻率参杂公式
答:
Cm 为母合金中
掺杂
剂的浓度,keff为有效分凝系数,CS 为晶体肩部位置处目标电阻率对应的杂质浓度。因而掺入的母合金的重量可由下式计算得到: m=CS/[(keff.Cm -cs)a] 在减压氩气气氛下,生长硅单晶速度为lmm/min时,
几种
常用掺杂元素在硅中的有效分凝系数的一组数据是:磷为0....
什么是硅平面
工艺
答:
然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入
掺杂工艺
;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、...
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