P型层衬底掺杂浓度越高,越不容易形成沟道?

如题所述

错误。
当浓度越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越宽,沟道电阻越小。
沟道MOS管制作工艺,用以解决现有技术中制作的P型高浓度掺杂硅由于晶格缺陷导致的漏电问题。
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