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硅锭掺杂的主要方式
硅晶片Czochralski(CZ)
方法
答:
硅晶片的Czochralski(CZ)
方法
是通过
掺杂硅锭
生长技术来实现的。首先,需要纯净的大块多晶硅,掺入少量特定的III、V族元素,如硼、磷、砷和锑,以赋予硅锭所需的电性能,形成P型或N型硅锭(如P型通过硼,N型通过磷、锑、砷)。这一过程在石英坩埚中进行,熔融后温度需达到1420摄氏度以上。在生长过...
从沙子到芯片,cpu是怎么制造的
答:
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离子注入
离子注入是一种掺杂方法,通过轰击硅表面嵌入杂质,从而改变其导电性。离子注入后,光刻胶被去除,形成晶体管。5刻蚀刻蚀是一种去除不需要的硅材料的过程,以形成晶体管的鳍片。6临时门的形成在光刻阶段,部分晶体管被覆盖,形成二氧化硅门电介质和多晶硅门电极。7“最后门”高K/金属门的形成临...
切割硅片的切割工作对人体有害吗
答:
然而,
由于硅锭中通常会掺杂磷(P)、硼(B)、砷(As)等元素以生产所需的硅片
,切割产生的废液和废屑可能具有一定的毒性,但这种毒性非常低,因为杂质含量非常少。在IC硅片(晶圆)或太阳能晶圆的切割过程中,由于硅片切割道内含有铜(Cu)、钛(Ti)、镍(Ni)、钴(Co)等金属制成的图形,并且...
硅片制作的工艺流程
答:
7. 掺杂与扩散:通过离子注入或分子扩散等技术
,向硅片表面或特定区域引入不同的杂质,以调整其导电性质和半导体器件的功能特性。8. 金属薄膜沉积:在硅片表面施加金属薄膜,通常采用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)的方法,金属薄膜用于制作电极、连接线等结构。9. 分割:通过特定的工艺手段,将...
硅片制作的工艺流程
答:
7. 掺杂和扩散:在硅片表面或特定区域进行掺杂
,通过
离子注入
或扩散等方法引入杂质,以调整硅片的导电性能和器件特性。8. 金属薄膜沉积:在硅片表面沉积金属薄膜,通常通过物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等技术实现。金属薄膜可用于电极、连线和连接器等器件结构。9. 裂解:通过特定工艺,对硅片...
切割硅片的切割工作对人体有害吗?
答:
切割废屑
主要
是Si屑. 粗制硅片切割,就是将
硅锭
切割成硅片,目前基本采用线切割法,添加SiC切割液,Si和SiC本 身均无毒,但一般硅锭中会
掺杂
P,B,As等元素以得到需要的硅片,因而切割废液,废屑等具一定毒性,但毒 性极低,因为杂质含量是非常非常低的.工艺制作完成的IC硅片(晶圆)的切割,或太阳能...
硅锭
中间和边缘的区别
答:
3、电学性能不同:硅锭边缘的电学性能通常较差,
掺杂
浓度不均匀,杂质含量比较高,而硅锭中间的电学性能要好一些,掺杂浓度比较均匀,杂质含量相对较低。这是因在
硅锭的
生长过程中,边缘部分的晶体生长速度较慢,掺杂和杂质的扩散速度也比较慢,而锭中间的晶体生长速度较快,掺杂和杂质的扩散速度也比较快...
单晶硅棒、
硅锭
需窗口指导吗?
答:
单晶硅棒切片必开窗;
硅锭
主要通过粉碎,不需要开窗。开窗的目的是引导切割方向,获得完整的硅片。这在切片前是必不可少的一步。在单晶硅棒生长完成后,为了后续的切片加工,我们通常要在硅棒上开窗,也就是切割出特定方向的槽口。这个窗口
的主要
作用一,用于确定单晶硅棒的晶向,选择合适的切割方向。二,可以...
制造单晶
硅的方法
是什么?
答:
1. 帕拉法(Czochralski法)这是目前产量最大的
方法
。将高纯硅原料融化于石英坩埚中,温度约摄氏1420度。使用带有取向的种子晶,缓慢地向上提拉成长单晶
硅锭
。提拉速率、转速、温度梯度都需要精确控制。2. 区域再结晶法 先在多晶硅基片上制备掩模板,然后进行区域熔融,在熔融区做种晶,未熔区域的单晶向熔区...
从沙子到芯片,cpu是怎么制造的
答:
1、沙子 /
硅锭
硅是地壳中含量位居第二的元素。常识:沙子含硅量很高。硅--- 计算机芯片的原料 --- 是一种半导体材料,也就是说通过
掺杂
,硅可以转变成导电性良好的导体或绝缘体。[注:半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的一种材料。掺杂是一种手段,通常加入少量其它某种元素改变导电性。]熔融的硅 --- 尺...
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