66问答网
所有问题
当前搜索:
干法刻蚀和湿法刻蚀的区别
微细加工技术中的
刻蚀
工艺可分为哪两种
答:
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为干法刻蚀与湿法刻蚀。
1、干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀。2、湿法刻蚀是一种刻蚀方法
,是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
干法刻蚀和湿法刻蚀
二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向...
答:
解析:湿法刻蚀工艺的优点是设备简单,刻蚀速率高,选择性高。但是,有许多缺点。
湿蚀刻通常是各向同性的,干法蚀刻的成本更低
。干法蚀刻的一个例子是等离子体蚀刻。干法蚀刻技术的特点是它们具有较高的各向异性
干法刻蚀与湿法刻蚀
主要
区别
及工艺特点?
答:
湿法刻蚀的
另一问题,是抗蚀剂在溶液中,特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效,因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案。对于采用微米级和亚微米量级线宽的超大规模集成电路,刻蚀方法必须具有较高的各向异性特性,才能保证图形的精度,但湿法刻蚀不能满足这一要求。
干
...
半导体MEMS制造的基本工艺——
刻蚀
工艺(
湿法
);
答:
湿法刻蚀
,即刻蚀介质沉浸于刻蚀剂液体中,以其成本效益和批量生产能力而闻名。它能够一次处理多达25至50个晶圆,展现出惊人的生产效率。然而,
干法刻蚀
则需要复杂的设备,如等离子体反应环境和超净管道,凸显了两种工艺的差异。各向同性与各向异性:微观世界的雕塑家 各向同性刻蚀剂均匀地作用于所有方向,创...
什么叫
刻蚀的
选择比.刻蚀速率。 知道的大侠麻烦告诉下小弟!有资料的也...
答:
刻蚀速率:刻蚀前后的厚度差
与刻蚀
时间的比。反应刻蚀快慢的量 选择比:同一种刻蚀方法
刻蚀不同
材料的刻蚀速率不用,选择比即为同一种可是方法刻蚀两种不同材料的刻蚀速率的比。
LamAutoEtch790
干法刻蚀
等离子刻蚀机原装配件哪里有?
答:
刻蚀分为
湿法刻蚀和干法刻蚀
两种。早期普遍采用的是湿法刻蚀,但由于其在线宽控制及刻蚀方向性等多方面的局限,3μm 之后的工艺大多采用干法刻蚀,湿法刻蚀仅用于某些特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀也称等离子刻蚀。干法刻蚀是指使用气态的化学刻蚀剂(Etchant) 与圆片上的材料发生反应,以刻蚀掉...
干法刻蚀
设备分类及市场概览
答:
干法刻蚀
设备主要分为两大类:
湿法
(化学、电解)和干法,其中干法因其高密度等离子体刻蚀(HD-PECVD)在高密度和复杂结构中表现出优势,如离子束刻蚀(IBE)和耦合等离子体刻蚀(CCP)等。离子束刻蚀,凭借其方向性,擅长处理难刻蚀材料,但存在低选择比和速率的局限。而高密度等离子体刻蚀则包括电容性、...
等离子体
刻蚀的
种类?紧急求助!!
答:
蚀刻可分为
湿法
蚀刻和
干法
蚀刻。早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿式蚀刻,即利用特定的化学溶液将待蚀刻薄膜未被光阻覆盖的部分分解,并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除,而达到蚀刻的目的。湿式蚀刻的进行主要是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反应,因此可藉由调配与选取适当的化学溶液,得到所需的...
ICP
刻蚀
简析
答:
光刻
湿法刻蚀与干法刻蚀湿法刻蚀
即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分,而达到
刻蚀的
目的。WetEtchingCharacteristics•Advantages:SimpleequipmentHighthroughputHighselectivity•Disadvantages:IsotropicetchingleadstoundercuttingChemicalcostsarehighDisposalcostarehigh...
为何说
刻蚀
工艺在微加工工艺中是必不可少的步骤?
答:
湿法
腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下(大于3微米)。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除
干法刻蚀
后的残留物。基本工艺要求 理想的刻蚀工艺必须具有以下特点:①各向异性刻蚀,即只有垂直刻蚀,没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被
刻蚀的
薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形;②良好的刻蚀...
1
2
3
4
5
6
7
涓嬩竴椤
其他人还搜
半导体湿法刻蚀工艺
湿法刻蚀和干法蚀刻
湿法刻蚀与干法刻蚀的优缺点
led湿法刻蚀的作用
干法刻蚀工艺
干法刻蚀常见失效的原因
干法腐蚀和湿法腐蚀的区别
dire刻蚀的特点
半导体湿法工艺