刻蚀速率：刻蚀前后的厚度差与刻蚀时间的比。反应刻蚀快慢的量
选择比：同一种刻蚀方法刻蚀不同材料的刻蚀速率不用，选择比即为同一种可是方法刻蚀两种不同材料的刻蚀速率的比。
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第1个回答 2010-12-15
刻蚀是通过溶液与材料反应或其它机械方式来剥离、去除材料的一种微加工方法。
刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
（1）湿法刻蚀：是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。
湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀
优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低
缺点：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液
（2）干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。
优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。
缺点：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。
干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Plasma Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
单位时间内腐蚀的深度称为刻蚀速度。
由于不同材料对刻蚀液/离子束的敏感程度不同，所以其刻蚀速率也不同。
刻蚀的选择比定义为对于不同材质之薄膜间的蚀刻速率比。本回答被网友采纳
刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
（1）湿法刻蚀：是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。
湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀
优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低
缺点：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液
（2）干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。
优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。
缺点：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。
干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Plasma Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
单位时间内腐蚀的深度称为刻蚀速度。
由于不同材料对刻蚀液/离子束的敏感程度不同，所以其刻蚀速率也不同。
刻蚀的选择比定义为对于不同材质之薄膜间的蚀刻速率比。本回答被网友采纳