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干法刻蚀工艺
干法刻蚀
与湿法刻蚀主要区别及
工艺
特点?
答:
对于采用微米级和亚微米量级线宽的超大规模集成电路,刻蚀方法必须具有较高的各向异性特性,才能保证图形的精度,但湿法刻蚀不能满足这一要求。干法刻蚀 70年代末研究出一系列所谓
干法刻蚀工艺
。干法刻蚀有离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种主要方法。① 离子铣刻蚀:低气压下惰性气体辉光放电所产生...
微细加工技术中的
刻蚀工艺
可分为哪两种
答:
微细加工技术中的
刻蚀工艺
可分为
干法刻蚀
与湿法刻蚀。1、干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀。2、湿法刻蚀是一种刻蚀方法,是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
干法刻蚀
和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向...
答:
【答案】:湿法刻蚀
干法刻蚀
解析:湿法
刻蚀工艺
的优点是设备简单,刻蚀速率高,选择性高。但是,有许多缺点。湿蚀刻通常是各向同性的,干法蚀刻的成本更低。干法蚀刻的一个例子是等离子体蚀刻。干法蚀刻技术的特点是它们具有较高的各向异性
干法刻蚀
设备分类及市场概览
答:
干法刻蚀
设备主要分为两大类:湿法(化学、电解)和干法,其中干法因其高密度等离子体刻蚀(HD-PECVD)在高密度和复杂结构中表现出优势,如离子束刻蚀(IBE)和耦合等离子体刻蚀(CCP)等。离子束刻蚀,凭借其方向性,擅长处理难刻蚀材料,但存在低选择比和速率的局限。而高密度等离子体刻蚀则包括电容性、...
等离子体
刻蚀
是什么?
答:
等离子体刻蚀(也称
干法刻蚀
)是集成电路制造中的关键
工艺
之一,其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面,其范围涵盖前端CMOS栅极(Gate)大小的控制,以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。在今天没有一个集成电路芯片能在缺乏等离子体刻蚀技术情况下完成。刻蚀设备的投资在整个芯片厂的设备投资中约占10...
为何说
刻蚀工艺
在微加工工艺中是必不可少的步骤?
答:
在半导体制造中有两种基本的
刻蚀工艺
:
干法刻蚀
和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和...
光刻\湿刻\
干法刻蚀
有何不同
答:
所以整个蚀刻,包含反应物接近、生成物离开的扩散效应,以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间,等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长,整个蚀刻之快慢也卡在该者,故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。1、湿蚀刻 最普遍、也是设备成本最低的蚀刻...
液晶显示屏生产
工艺
流程是什么
答:
光刻工艺(Photolithography process)是将掩膜上的图形转移至玻璃基板上的过程。由于LCD板上的刻线品质取决于光刻工艺,因此它是LCD加工过程中最重要的工艺之一。光刻工艺对环境中的粉尘颗粒很敏感,因此它必须置于高度洁净的室内完成。3.3刻蚀工艺 刻蚀工艺分为湿法刻蚀工艺和
干法刻蚀工艺
,湿法刻蚀工艺用液体...
etch是什么
工艺
答:
金属刻蚀,poly刻蚀,氧化物刻蚀。具体
工艺
条件无法,只能简单的说,这3中刻蚀在半导体行业都是
干法刻蚀
,也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样,比如,金属刻蚀用CL2,氧化物刻蚀用C4F6,C5F8。晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻...
Metal Etch,Poly Etch和Oxide Etch各是什么?具体
工艺
是什么?
答:
回答:字面意思直译就可以,金属刻蚀,poly刻蚀,氧化物刻蚀。 具体
工艺
条件无法回答,只能简单的说,这3中刻蚀在半导体行业都是
干法刻蚀
,也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样,比如,金属刻蚀用CL2,氧化物刻蚀用C4F6,C5F8。
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