二次电子是怎样产生的？其特征是？二次电子的像衬度取决于什么因素

Question

如题所述

Answer 1

仅供参考
背散射电子像的衬度要比二次电子像的衬度大,二次电子一般用于形貌分析,背散射电子一般用于区别不同的相.
二次电子像：
1）凸出的尖棱,小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多,在荧光屏上这部分的亮度较大.
2）平面上的二次电子产额较小,亮度较低.
3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子,使其不易被控制到,因此相应衬度也较暗.
背散射电子像：
1）用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低.
2）背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析.因此,背散射电子形貌分析效果远不及二次电子,故一般不用背散射电子信号.

Answer 2

产生：被入射电子束轰击出样品表面的核外电子

特征：（1）二次电子在表层5-10nm深度发射出来，能量低于50eV。
（2）二次电子产额对样品表面形貌敏感，而与样品表面原子序数无明显依赖关系，因此无法用来做成分分析，经常用来做表面形貌分析。SEM的分辨率就是二次电子的分辨率。
二次电子的像衬度取决于试样表面相对于入射电子束的倾角，随样品表面倾角增加，二次电子发射系数增加。