二次电子像的衬度主要来源于形貌衬度。
二次电子的特点
1、能量小于50eV,询渗犁在固体样品中的平均自由程只有10~100nm。在这样浅的表层里,入射电子与样品原子只发出有限次数的散射,因此基本上未向侧向扩散。
二次电子成像
1、二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相遥炼对于入射电子束的倾角。
如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细精战愚多节屑拘档组成,这些细节的不同部位发才炼谅付射的二次电子数不同,从而产生衬度。
2、二次电子像分辨率高、主鸦乐无明显阴影效应、场深大、立体感强,是扫描电镜的主要成像方式(特别适用于粗糙样品表面的形貌观察),在材料及生命科学等领域有着广泛的应用。
背散射电子像
1、用背散射电子进行形貌分析时,其分辨率远比二次电子像低。
2、背散射电子能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析。因此,背散射电子形貌分析效果远不及二次电子,故一般不用背散射电子信号。