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硅片掺杂工艺
单晶硅太阳能电池板与多晶硅有何区别?哪种更贵
答:
单晶硅太阳能电池板贵一些,两者区别如下:1、制作
工艺
不同 加工单晶太阳电池片,首先要在
硅片
上
掺杂
和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/N结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并...
硅片
电阻率对
工艺
影响
答:
硅片
电阻率对
工艺
影响工艺流程。是因为硅片电阻率的大小对于工艺流程有着很大的影响。在制造器件时,电阻率较高的硅片通常需要进行更多的工艺步骤来降低电阻值,如
掺杂
、退火等。而电阻率较低的硅片则需要采取不同的工艺步骤来提高电阻值,如硅氧化物的沉积、光刻等。
光谱检测
硅
有波动的原因
答:
75eV左右,光吸收率不同。非晶硅沉积是本身就引入了H原子,钝化了Si悬挂键,氢化非晶硅本身就是一种良好的钝化材料,非晶硅电池不需要钝化层。硅片本身就分为P、N型,会出现相应电池。目前工业常用的是P型硅片,是因为对P型硅片进行掺杂的B,易于在硅片中均匀分布,N型
硅片掺杂工艺
不易于控制。
半导体扩散
工艺
是什么
答:
在当今的亚微米工艺中,由于浅结、短沟的限制,
硅片工艺
后段的热过程越来越被谨慎地使用,但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质,减少缺陷,并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷
掺杂
由于磷掺杂的控制精度较底,它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。
硅片
扩散是什么
答:
在高温下分解后在
硅片
表面形成P-N 结。2、扩散制结(p-n结)的目的:在P型硅表面,通过扩散P原子构成p-n结。PN结的形成才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。3、扩散制结(p-n结)的影响因素:扩散的时间t、扩散的温度T、
掺杂
剂浓度c;
P型
硅片掺杂
是什么?
答:
硼,即B,P应该就是positive,而N型
硅掺
的则是磷,即P,意为negative。
芯片内的
硅片
到底是怎样做的?
答:
好像硅芯片是用高精密的光刻技术刻出来的,不过
硅片
上的元件是一个个做好了再焊上去的(开个玩笑),...从目前所使用的
工艺
来看,硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300...
掺杂
在残留的感光层物质被去除之后,剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅...
硅片
是什么
答:
硅片
的主要特点和用途如下:1. 半导体制造:硅片是制造集成电路(IC)的基本材料之一。通过在硅片表面沉积、刻蚀、
掺杂
等
工艺
步骤,可以制备出微小的电子元件和电路结构,如晶体管、电容器、电阻器等,从而实现电子器件的功能。2. 光电器件制备:硅片也用于制备光电器件,如太阳能电池、光电二极管(LED)、...
一文看懂
硅片
和晶圆的区别
答:
硅晶圆的直径和厚度,如艺术品般精细,直径由拉制速度和旋转速度决定,而厚度则保证机械稳定性。尽管半导体器件的真正工作区只在晶圆表面微米级别,但其厚度的增加是为了承载更大的设备和性能。因此,晶圆的制造
工艺
是精密与规模的完美结合。
硅片
,作为晶圆的前身,是半导体器件的原材料。它是由纯化的硅制...
五英寸
硅片
都用于什么领域
答:
五英寸
硅片
是硅片的一种尺寸规格,直径约为127毫米。它在半导体工业中有一定的应用,主要用于以下领域:1. 集成电路(IC)制造:五英寸硅片可用于制造中小规模的集成电路。它可以作为基板,通过沉积、刻蚀、
掺杂
等
工艺
步骤,制备出电子元件和电路结构,形成集成电路芯片。2. 光电子器件制造:五英寸硅片也可...
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