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砷掺杂和磷掺杂区别
pn结
掺杂磷
和
砷
哪个好
答:
pn结
掺杂磷
比较好。pn结为半导体中掺杂磷多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。pn结为半导体中
掺杂砷
多子(自由电子)的浓度就降低,导电性能就变弱。半导体(semiconductor)指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
重掺
磷砷
怎样分别出来
答:
使用专业技术。要分别出重掺磷和砷,可以通过离子色谱等化学分析技术实现。
掺杂的磷和砷在半导体中会形成不同的能带结构和电子输运性质
。
n型
掺杂与
p型掺杂有何
区别
?
答:
1、载流子类型区别:n型掺杂中
,被引入的外来元素(磷或砷)会提供额外的自由电子,成为主要载流子。自由电子负责在导体中传递电荷。p型掺杂中,被引入的外来元素(铝或硼)会创造缺少一个电子而形成空穴(带正电),成为主要载流子。空穴可以看作是原本存在但缺失了一个负电荷。2、形成原理区别:n型掺...
n型半导体中
掺杂
的主要元素是什么?
答:
n型
掺杂
一般掺入:
磷
元素 当硅片被掺入硼或磷时,它的导电性就显著的改变了。通常情况下,一个纯硅片中是没有自由电子的,它所有的四个价电子都被锁住在与相邻硅原子的共价键中,由于没有自由电子,外加电压几乎无法导致电子流过硅片。把磷加入到硅晶片中后,情况将发生改变。与硅不同,磷有五个...
纵向双扩散mos管的双扩散是什么意思???
答:
1. 纵向双扩散MOS管中的“双扩散”指的是源极N型重
掺杂
以及其下方的阱区铅岩旁P型轻掺杂,这两个过程均通过两次扩散步骤来完成。2. 初始阶段,进行高剂量的
砷
(As)注入,随后跟进低剂量的
磷
(P)注入。3. 离子注入完成后,必须执行高温推阱步骤。在这一过程中,由于磷的扩散速度相较于砷更快,磷...
如何确定
掺杂
是p还是n
答:
根据元素来确定。n型
掺杂
是指在半导体中掺入少量的五价元素,如
磷
或
砷
,这些元素会提供额外的自由电子,从而增加半导体的电子浓度;而p型掺杂则是指在半导体中掺入少量的三价元素,如硼或铝,这些元素会创建空穴,从而增加半导体的空穴浓度。所以可以根据掺杂元素进行确定。
p- n结的形成过程有何不同?
答:
1.
掺杂
材料不同:P型和N型单晶硅片中,掺杂的材料不同。P型单晶硅片中掺杂的是三价元素(如硼或铝),掺杂后形成的杂质原子会失去一个电子,留下一个空位或“空穴”。而N型单晶硅片中掺杂的是五价元素(如
磷
或
砷
),掺杂后形成的杂质原子会多余一个电子,成为自由电子。2. 负载载流子类型不同:...
P型半导体中
掺杂
元素的影响是什么?
答:
掺杂
元素: N型半导体通常是由硅等半导体材料与五价元素(如
磷
、
砷
等)的掺杂形成的。这些五价元素称为“杂质”或“受主”。性质: 在N型半导体中,掺杂元素添加了额外的自由电子,使得电子成为主要的载流子,因此在外部电场作用下,电子会在半导体中移动,导致电流的形成。电子流: 自由电子对电流的...
掺杂
原理介绍
答:
通过
掺杂
,我们创造了N型(如磷或砷)和P型(如硼或镓)硅。N型硅通过五价元素的掺入,如P型硅中的磷,带来多余的负电荷电子,而P型硅则是通过三价元素的掺杂,如硼,产生空穴,象征着正电的空位。N+和P+代表着高浓度掺杂,N-和P-则代表低浓度。元素的秘密语言 五价元素,如
磷和砷
,它们的...
n型半导体是怎么得到的?
答:
在n型半导体中,
掺杂
杂质通常是五价元素,如
磷
(P)、
砷
(As)等,它们有5个价电子,其中4个价电子参与共价键形成晶体结构,而剩余的一个价电子则不与原子成键,成为自由电子。这些自由电子在半导体中移动时就可以导电,因此n型半导体表现出良好的导电性能。五价元素的定义 五价元素是指化学元素的一...
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