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硅片掺杂工艺
半导体制作
工艺
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掺杂
答:
芯片制造
工艺掺杂
扩散和离子注入主要内容5.15.25.35.45.5概述扩散离子注入
掺杂掺杂
质量评价实训扩散工艺规程为了在
硅片
内部指定区域得到选择性掺杂,核心步骤为:(1)在硅片表面生长一层二氧化硅层。该二氧化硅层除了保护硅片表面和绝缘外,其关键是作为掺杂杂质的阻挡层。二氧化硅层将阻挡掺杂原子进入硅表面。
N型
硅片
和P型硅片的区别是什么?
答:
N型单晶硅和P型单晶硅的主要区别在于
掺杂工艺
、制作成本和性能。1.掺杂工艺:由于掺杂工艺的区别,单晶
硅片
可分为P型和N型两类。P型制作工艺简单,成本较低。N型工艺要求更高,成本更高。2.制作成本:P型单晶硅制作成本较低,而N型单晶硅的制作成本较高。3.性能:N型单晶硅可生产效率更高的异质结电...
微加工的
掺杂工艺
答:
整体掺杂:
掺杂
可以在制备
硅片
原材料时进行,比如,用CZ法制备单晶硅时,就可以在石英炉中加入不同类型和比例的掺杂材料,直接制备出所需要的导电特性和类型的硅片。局部掺杂:在微系统和微电子器件的制造过程中,经常需要对基片的局部衬底进行掺杂。一般都需要通过两步来完成:-第一步掺杂原子的沉积,通常...
硅片
制作的
工艺
流程
答:
硅片
的制作通常包括以下主要
工艺
流程:1. 单晶硅生长:通过化学气相沉积(CVD)或单晶硅浮区法等方法,在高温下将硅材料以单晶形式生长出来。这一步骤产生的单晶硅块被称为硅锭。2. 硅锭切割:将硅锭使用切割机械或切割工艺切割成薄而平坦的圆盘形硅片。常见的硅片直径包括2英寸(50.8毫米)、4英寸(10...
太阳能电池片加工中的
掺杂
与扩散原理?
答:
半导体的
掺杂
扩散,主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的
硅片
中,把杂质原子的气相源靠近硅片,加热后,使其慢慢扩散,杂质原子会慢慢的深入硅片中,浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料,由此制出各式各样的...
集成电路制造什么叫热扩散?
答:
掺杂
材料一般是用来改变半导体的导电性能,如将硼杂质掺杂到硅晶体中可制成P型半导体。掺杂材料与半导体晶体在高温下接触,杂质原子将通过热扩散逐渐扩散到晶体深处。热扩散是半导体制造中的重要
工艺
步骤之一,对于控制半导体器件的性能和可靠性有着重要的影响。详情咨询斯利通陶瓷电路板 ...
什么是
硅片
,怎样制造硅片?
答:
制造
硅片
的基本
工艺
是这样的:首先需要取得超高纯度的硅原料,精炼成为多晶硅或单晶硅。然后,用切割机切割成圆片状的硅晶锭。接下来,在硅片上进行一系列处理,比如稀释、扩散、抛光等等。经过复杂的工艺后,在硅片上就可以形成PN结构。最后进行校正测试,合格的硅片就可以组装成太阳能电池板,用于发电转换光能了。...
太阳能电池片去PSG
工艺
是什么
答:
PSG(Phospho Silicate Glass)是磷硅玻璃的意思,在太阳能电池片的扩散
工艺
后,
硅片
表面会形成一层PSG,必须去除。扩散原理:POCl3在高温600℃下分解,产生P2O5和PCl5,然后2P2O5 +5Si—— 5SiO2 +4P,这样生成的P就可以扩散到硅片里,实现P
掺杂
。在扩散中,我们还比通入足够的氧气,这样PCl5和氧气反应...
硅片
扩散
工艺
环境温度要求
答:
1、清洁:
硅片
扩散
工艺
需要在洁净室等高洁度环境中进行,通常要求室内无尘、无震动和低污染。2、稳定性:硅片扩散过程中,环境温度的稳定性对于扩散速率和晶圆质量有着重要影响。3、适宜温度范围:具体而言,硅片扩散工艺环境温度的适宜范围取决扩散
掺杂
物的种类和浓度、硅片厚度、气氛组成等因素。
硅的两个
掺杂
状态是什么?
答:
而在N型硅中,硅被掺入五价元素(如磷),这些元素有一个额外的电子可以跳跃到导电带,增加了电流。在太阳能电池中,N型单晶
硅片
被认为具有比P型
硅片
更高的效率,原因包括:N型硅片具有较低的杂质和缺陷浓度,这可以减少电子-空穴对的复合,从而提高电池的效率。N型硅片对光辐射和热效应的耐受性更...
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