由信息及质子数+中子数=质量数,则W的质子数为18-10=8,则W为氧元素;由X和Ne原子的核外电子数相差1及X的原子半径比氧原子的半径大,则X为钠元素;
Y的单质是一种常见的半导体材料,Y为短周期元素,则Y为硅元素;Z的电负性在同周期主族元素中最大及原子半径X>Y>Z,则Z为氯元素;
(1)X为钠元素,位于周期表中第三周期第ⅠA族,W为氧元素,则基态原子核外电子排布为1S
22S
22P
4,P能级有三个轨道,由洪特规则和泡利原理可知P轨道上只有2个未成对电子,
故答案为:三;ⅠA;2;
(2)因钠单质为金属晶体,而硅单质为原子晶体,则熔点较高的是Si,因HCl中键长比HBr中键长短,键长越短越稳定,则HCl稳定,故答案为:Si;HCl;
(3)Y与Z形成的化合物为SiCl
4,与足量水反应生成一种弱酸和一种强酸,由元素守恒可知应生成H
2SiO
3和HCl,反应为SiCl
4+3H
2O═H
2SiO
3↓+4HCl,
故答案为:SiCl
4+3H
2O═H
2SiO
3↓+4HCl;
(4)Y的气态氢化物为SiH
4,在氧气中完全燃烧后恢复至原状态,平均每转移1mol 电子放热190.0kJ,则1molSiH
4燃烧转移8mol电子放热为190.0kJ×8=1520kJ,
则该反应的热化学方程式为SiH
4(g)+2O
2(g)
SiO
2(s)+2H
2O(l)△H=-1520kJ/mol,故答案为:SiH
4(g)+2O
2(g)
SiO
2(s)+2H
2O(l)△H=-1520kJ/mol.