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三氯氧磷到磷进入硅内形成掺杂发生的过程?问答题,急用
如题所述
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推荐答案 2019-12-11
用三氯氧磷为N型硅掺杂工艺指南
三氯氧磷作为N型硅掺杂剂的工艺
描述
氧氯化磷(POCl 3)是一种用于n型区到硅衬底上扩散液磷源。掺杂浓度可以控制以提供接近使用双极器件或轻掺杂区的固溶度水平MOS器件。掺杂材料可以用来形成双极器件的发射区,源/漏和掺杂的多晶硅MOS器件结构中的应用。
氧氯化磷(POCl 3)氧化在正常工艺温度与氧形成P 2 0 5。这种材料是由硅暴露在晶片表面形成元素反应降低磷和硅。在这一点上的磷扩散到硅的速度通过对加热炉温度的确定。扩散深度或结深,(XJ),发现用在炉内温度的材料的扩散系数。对氧化的化学反应POCl 3如下:
过程性能
掺杂进入扩散管必须加以控制,使电阻率量,保持过程的一致性和可重复性。这种控制是通过喷水保持化学和载气流量的精确控制恒定的温度来实现的。图1为材料的蒸气压曲线。最常使用的鼓泡装置温度是20?C。要保持鼓泡装置温度至少5?C降低温度比周围围绕连接鼓泡装置对炉管温度。这可以防止形成冷凝水从喷水导致扩散管的线。这也是确保选择的化学温度会使气体控制器的操作单元的校准范围内重要。这是重要的当用热质量流量气体控制器。
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其他回答
第1个回答 2019-12-11
掺杂进入扩散管必须加以控制,使电阻率量,保持过程的一致性和可重复性。这种控制是通过喷水保持化学和载气流量的精确控制恒定的温度来实现的。图1为材料的蒸气压曲线。最常使用的鼓泡装置温度是20°C。要保持鼓泡装置温度至少5°C降低温度比周围围绕连接鼓泡装置对炉管温度。这可以防止形成冷凝水从喷水导致扩散管的线。这也是确保选择的化学温度会使气体控制器的操作单元的校准范围内重要。这是重要的当用热质量流量气体控制器。
第2个回答 2019-12-11
这是一个化学反应吗?
第3个回答 2019-12-11
三氯氧磷到磷进入硅内形成掺杂发生的过程?问答题,急用
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半导体,我想知道是...
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5POCl3--- 3PCl5 + P2O5 4PCl5+ 5O2---2P2O5+ 10Cl2 2P2O5 + 5Si --- 5SiO2 + 4P你说的是太阳能电池中扩散工艺,化学物品为
三氯氧磷
!!预扩是指在硅片表面浅扩,增加扩散氛围,为再扩散更好的准备!深扩(再扩):相对预扩深度大
,形成
需要的PN结(就是把磷原子运动到时硅原子...
晶体
硅
太阳电池制备的基本工艺?
答:
扩散一般用
三氯氧磷
液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周
进入硅
片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散
,形成
了N型半导体和P型半导体的交界面,也就...
太阳能硅片制作流程是怎么样的
答:
扩散一般用
三氯氧磷
液态源作为扩散源。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的
形成,
才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。
硅
太阳能电池制作
过程
中产生的危害人体的气体
答:
硅太阳电池在生产过程中经历清洗制绒扩散镀膜做电极等
过程,
除了湿化学和扩散有有害气体其他地方都没有,清洗会用到盐酸和氢氟酸,扩散会用到
三氯氧磷
这些是有害的,多晶会用到硝酸也是有害的,其他都没有了!
太阳能电池生产为什么去除
磷硅
玻璃
答:
太阳能电池生产必须去除
磷硅
玻璃,原因如下:由于阳能电池片生产制造过程中的扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在...
写出白磷的燃烧
过程
答:
13. 电炉法将磷矿石、焦炭和硅石破碎并混合,然后在密闭的三相电炉中于1400~1500℃高温下熔融进行还原反应。14. 生成的磷蒸气经冷凝塔冷却,凝聚成液滴,与机械杂质一起进入塔底集磷槽中,即得粗磷。15. 白磷主要用于生产热法磷酸、三氯化磷、
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磷掺杂碳材料磷的作用
硅用磷均匀掺杂
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