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硅掺杂磷
【半导体基础/器件】11
掺杂
的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)_百度...
答:
半导体术语中的
掺杂
是指控制特殊杂质原子的数量,从而有目的地增加电子或者空穴的浓度。为了增加电子浓度,通常会在
硅
中掺入Ⅴ族元素,如
磷
与锗,这些提供额外电子的杂质原子称为施主原子;为了增加空穴浓度,通常会在硅中掺入Ⅲ族元素,如硼,这些提供多余空穴的杂质原子称为受主原子。掺杂半导体称为非本...
在每10^5个
硅
原子掺入一个
磷
原子,那磷的
掺杂
浓度是多少?顺便求其电阻...
答:
1--磷的
掺杂
浓度是:10^17/cm^3;2--假如硅是单晶,在室温下杂质全部电离。请您用以下公式计算硅的电阻率:ρ= 1/(q * n * μ)其中 q 是电子电荷;n 是磷的掺杂浓度;μ 是电子迁移率,取 1500 cm^2/(V.s)。
硅
中掺铟和
磷
形成什么半导体
答:
N型半导体。在纯
硅
中
掺杂
(doping)少许的施子(即五价原子,最外层有5个电子的原子)如
磷
、砷、锑,施子的一个价电子就会成为自由电子,如此形成N型半导体,自由电子为N型半导体中导电的主要载流子(多数载流子)。N 型半导体是通过在制造过程中用电子供体元素掺杂本征半导体而产生的。术语n 型来自电子...
如果在
硅
晶体管内参杂少量
磷
等五家元素的杂质则整体半导体的电性应该为...
答:
掺入少量
磷
元素,就会变为n型半导体。也就是以电子导电为主。因为五价元素在
硅
晶体中会有多余的电价键出现自由电子。
硅掺杂磷
极限浓度
答:
硅掺杂磷
的极限浓度指的是在硅材料中掺入磷元素的最大浓度。这个极限浓度会受到多种因素的影响,包括硅的晶体结构、掺杂工艺、温度等。在硅的掺杂过程中,磷元素被引入硅晶格中,取代了部分硅原子的位置。磷的掺杂可以提高硅的导电性能,使其具备更好的半导体特性。当磷的浓度超过一定限度时,会对硅...
n型
掺杂
一般掺入什么
答:
n型
掺杂
一般掺入:
磷
元素 当硅片被掺入硼或磷时,它的导电性就显著的改变了。通常情况下,一个纯硅片中是没有自由电子的,它所有的四个价电子都被锁住在与相邻
硅
原子的共价键中,由于没有自由电子,外加电压几乎无法导致电子流过硅片。把磷加入到硅晶片中后,情况将发生改变。与硅不同,磷有五个...
半导体
硅掺磷
后,杂质能级高还是费米能级高呢?
答:
磷
5价元素,形成n型半导体,电子为杂质载流子,
掺杂
越多,此时的费米能级偏离导带和价带的中心(本征费米能级基本位于中心)靠近导带,也就是施主能级(杂质能级),此时电子更容易跨越禁带成为自由载流子。所以应该说杂质能级高于本征费米能级
硅
原子为什么会跟
磷
原子共价结合
答:
它们的电负性差异不足以形成离子化合物,所以只好共用电子对了.这个是
硅掺杂
形成电子型半导体的原理.在硅结晶当中,
磷
原子替代了硅的位置,五个价电子只能形成四个价键,结果有电子富余,可以形成导电能力.在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素(如磷、砷、锑等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体....
“p型
硅
”和“n型硅”分别
掺杂
什么元素?
答:
向混合特中
掺杂
的
磷
越多,产生的电流越大。掺入磷杂质的
硅
称为“N型硅”,或“负电荷载流子型硅”。一个磷原子加入到硅晶片中提供了一个未被束缚的电子,增加了电导率。加入了磷元素的硅称为N型硅。参考资料 P型硅与N型硅的区别.移动开发[引用时间2017-12-19]
两个
磷
原子在
硅
中为什么不合成
答:
电负性差异。一个
磷
原子是作为杂质
掺杂
到
硅
里的,也就是把原来晶格中某个硅原子的位置替换成了磷原子,两个磷原子有电负性差异,不足以形成离子化合物,不构成合成的条件。硅为半导体的主体材料,其原子最外层是四个电子。
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