在修理中常见的电磁炉大致分为两类：
由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。
1：被触动引发部门由正负两组电源，管子用PNP\NPN构成，近似这种电路，后级大可能是用大功率管多个复合而成，构成高压开关部门，在代换中，前一个用带阻尼的行管替换即可。后几个则很难找到特征一致的管子，解决的措施是在散热装置安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少量量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就能够。
2：功控管用IGBT绝缘栅开关部件；
这些机器特征是不消双电源被触动引发，只有+5V以及+12V,LM339通过被触动引发集成块TA8316带动IGBT
这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是被触动引发集成块TA8316坏，连带LM339N一路损坏的很少见。
对高压模块，因为这方面的参数手册很少，但愿各人搜集转贴，以便代换时参考。
不能贸然更换,最佳有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其他几路小电源供电没事了.
2.1.2 IGBT
绝缘栅双极形成晶体体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)略称IGBT,是一种集BJT的大电流密度以及MOSFET等电压激励场控型部件长处于一体的高压、高速大功率部件。
目前有用不同质料及工艺建造的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入追随一个双极型形成晶体体管放大的复合布局。
IGBT有3个电极(见上图), 别离称为栅极G(也叫控制极或者门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 部件发热紧张, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简略。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸以及BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
IGBT将场控型部件的长处与GTR的大电流低导通电阻特征集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率部件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如次:
(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容积25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,以是应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
⑵ SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容积25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容积25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容积25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,以是应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容积25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120以及GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容积25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。
GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容积25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,以是应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
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