电磁炉为什么要用IGBT做功率管及电磁炉IGBT管的代换

Question

如题所述

Answer 1

1、电磁炉因为是大电流工作，IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。电流通过率和工作效率是最高的，所以电磁炉等大功率控制设备都用IGBT来控制电流；
2、IGBT的代换只要知道两个管子的工作电流、和反向耐压，及安装尺寸即可完全替换。

Answer 2

在电磁炉电路中，开关管扮演着非常重要的角色。当开关管导通时，+300V经加热线圈、开关管以大电流给加热线圈充电，电能转化为加热线圈中的电磁能。经测试，此时加在开关管上的电压约
为十250V，工作电流在20A～40A之间。如此大
普通的Mos场
效应管，虽然仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因内阻较大，管子发热快，难以长时间工作；大功率达林顿管虽
然可以在高电压、大电流状态下长时间工
作，但需要较大的驱动电流。人们自然想到将场效应管与
大功率达林顿管有机地结合的IGBT管，将场效应管
作为推动管，大功率管作为输出管,
在高电压、大电流状
态下长期安全工作，并表现出极好的开关特性，输出功率可达1000W以上。本回答被提问者采纳

Answer 3

因为IGBT的耐压非常高，市电整流后电压为300多伏再经过LC并联谐振实际上开关管要承受谐振的峰值电压和电源电压叠加的高压。而MOSFET管虽然各项性能都很好，特别是导通内阻小，IGBT达林顿和晶闸管不管负载电流大小都是有效大压降的！唯一的缺点就是MOSFET耐压低,而高耐压的因为工艺的原因成本高！