硅晶片的Czochralski（CZ）方法是通过掺杂硅锭生长技术来实现的。首先，需要纯净的大块多晶硅，掺入少量特定的III、V族元素，如硼、磷、砷和锑，以赋予硅锭所需的电性能，形成P型或N型硅锭（如P型通过硼，N型通过磷、锑、砷）。这一过程在石英坩埚中进行，熔融后温度需达到1420摄氏度以上。
在生长过程中，将单晶硅种子置于熔融物表面，种子需与目标晶向一致。为了确保掺杂均匀，子晶和熔化硅的坩埚需要相反方向旋转。初始阶段快速提拉子晶以减少晶内缺陷，随后逐渐降低提拉速度，以增加晶体直径。达到目标直径后，保持生长条件稳定，直至硅锭完全成长。成长结束后，子晶直径会略大于晶圆片需求，通过切割晶向显示部分，进行检验后，将其切成晶圆片。
切割晶圆片是一项精细工作，使用金刚石锯确保精确切割，以得到比需求厚度稍厚的晶片，同时减少损伤和厚度不均等问题。接着是研磨工艺，去除锯痕和表面损伤，调整厚度并释放切割应力。随后是刻蚀和清洗，使用化学混合物来减轻磨片过程中的损伤。关键的倒角工艺则确保晶圆边缘光滑，防止电路制作时的破损。抛光过程至关重要，通常进行多次，以达到镜面般的抛光面，用于电路生产。
抛光分为切削和最终抛光，使用抛光垫和浆料。切削去表面损伤，最终抛光则修复微坑。抛光后，晶圆片通过清洗槽清除颗粒、金属划痕和残留物，背面也会进行擦洗。完成清洗后，根据用户需求分类并进行严格检测，合格的晶圆片会被包装密封，存放在防尘和防湿的封装箱中，确保无尘和无潮环境运输。
元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的，其次是氧元素，硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造。