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光刻胶和光模块的区别
光刻胶
是什么材料起什么作用
答:
光刻胶是一种具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝光图形的介质。
光刻胶的
英文名是resist,也翻译成resist、photoresist等。
光致抗蚀剂的
功能是作为抗蚀刻层保护衬底表面。光致抗蚀剂只是一种图像,因为它在外观上是以胶状液体出现的。光致抗蚀剂通常以薄膜...
光刻胶和光
刻机
有什么区别
答:
1、作用区别:光刻胶是一种光敏混合液体
,由光引发剂、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他添加剂组成。光刻机是制造芯片的核心装备之一。作用是将光线通过光学系统投射到晶圆表面,形成特定的图形。2、
制造过程区别
:光刻胶的制造过程相对简单,只要将光刻胶涂覆在晶圆表面,并使用光线照射即可。光刻机的制造...
什么是
光刻胶
答:
光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性
光刻胶
。...
光刻机
和光刻胶的区别
在哪里
答:
1、用途和功能不同:光刻胶是一种用于半导体制造中的关键材料
,被用于制作微电子器件的图案,而光刻机是一种用于制作微细图案的设备。2、
制造工艺原理不同
:光刻胶的制造工艺主要是化学合成的方法,需要进行一系列的化学反应才能得到所需材料,而光刻机的制造工艺主要还是机械加工的过程,需要精确的机械...
光刻胶
是什么材料 起什么作用
答:
光刻胶
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源
的不同
,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)。深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、...
光刻机
和光刻胶的区别
答:
这两个的主要有
区别
是性质
不同
,应用场景及制作工艺不同,具体区别如下:1、性质:
光刻胶
是一种光敏混合液体,由光引发剂、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他添加剂组成。光刻机则是一种机械设备,它的作用是将光刻胶涂覆到硅片上并进行曝光、显影的过程。2、应用场景:光刻胶主要用于光刻工艺中,其性能...
光刻胶
属于什么板块
答:
光刻胶
属于半导体板块。光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,最终得到所需图像。按显示效果分类,光刻胶可分为正性光刻...
光刻
化学01-
光刻胶
,resist
答:
和负性
光刻胶
(negative photoresist)。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
什么是光刻胶以及
光刻胶的
种类
答:
2、
光刻胶的
物理特性参数: a、分辨率(resolution)。
区别
硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 b、对比度(Contrast)。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
光刻机
和光刻胶的区别
答:
1、使用方面,光刻机又名掩模对准曝光机,是芯片制造流程中光刻工艺的核心设备,光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。2、技术难度方面,
光刻胶的
目的主要有两个:光刻胶原理,小孔成像,技术难度已攻破,难度小,光刻机装备的核心部件有光源、镜头、工作台,每个部件都结构复杂、经过精心...
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