雪崩二极管简介

如题所述

雪崩二极管简介

PN结具有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加,这就是反向电击穿。击穿类型分为雪崩击穿和齐纳击穿。在雪崩击穿中,PN结反向电压增大时,载流子倍增就像雪崩一样迅速增加。利用这个特性制作的二极管称为雪崩二极管。在电场作用下,载流子能量增大并与晶体原子碰撞,形成自由电子-空穴对,新产生的载流子又通过碰撞产生更多对,形成倍增效应。而齐纳击穿则完全不同,需要很高的反向电压,通过直接破坏共价键将束缚电子分离形成电子-空穴对,产生大的反向电流。雪崩击穿在一般的二极管中更为常见,而齐纳击穿则在特殊二极管中出现,如稳压二极管。

雪崩二极管在激光测距仪、共焦显微镜检查、视频扫描成像仪、高速分析仪器、自由空间通信、紫外线传感、分布式温度传感器等应用中发挥关键作用。它们具有超低噪声、高速和高互阻抗增益等优点。市场上常见的型号包括C30659、C30919E、C30950EH等,其中C30950EH的市场价格约为2800元。这些型号适用于不同应用,包括激光测距仪、视频扫描成像仪、自由空间通信和紫外线传感等。

雪崩二极管的特性使其在各种电子设备和系统中发挥重要作用。它们提供高响应性和低噪声,适用于需要快速响应和精确测量的应用。在选择和使用雪崩二极管时,应考虑其工作温度、电流和电压范围以及封装类型。市场上提供了多种封装选项,以适应不同的环境和应用需求。从超低噪声到高速性能,雪崩二极管为现代电子技术提供了可靠的基础。
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