如何将高纯多晶硅(本征Si)制备成N型+Si?又如何将其制备成P型Si?

如题所述

N型硅和P型硅是通过将本征硅(纯硅)掺杂特定类型的杂质元素得到的。掺杂过程通过改变硅的电荷载体浓度来调节其电学性质。具体来说:

1. **制备N型硅**:N型硅是通过在硅中掺入五价元素(例如磷、砷或锑)来制备的。这些五价元素有五个价电子,其中四个价电子与硅的四个价电子形成共价键,剩余的一个电子则成为自由电子,可以自由移动,导电。这样得到的硅就是N型硅,其主要的载流子是电子。

2. **制备P型硅**:P型硅是通过在硅中掺入三价元素(例如硼、铝、镓、铟)来制备的。这些三价元素只有三个价电子,与硅的四个价电子形成共价键时会留下一个空位,这个空位被称为"空穴",它可以接受周围的电子,因此可以看作是正电荷。这样得到的硅就是P型硅,其主要的载流子是空穴。

掺杂过程通常在高温下进行,以便让杂质元素可以进入硅的晶格结构中。掺杂的方法有很多种,例如扩散法、离子注入法等。具体的方法选择和掺杂过程的详细参数(例如温度、时间、杂质元素的浓度等)需要根据具体的需求和设备条件来确定。
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