第1个回答 2016-06-03
19世纪末发现了点接触二极管效应后，相继出现了PIN二极管、变容二极管、肖特基二极管、隧道二极管、耿氏二极管等微波二极管。微波二极管的基片材料由锗、硅发展到砷化镓，使微波二极管工作频率不断提高，目前最高频率已达300吉赫。微波二极管具有体积小和可靠性高等优点，用于微波振荡、放大、变频、开关、移相和调制等方面。 一种窄I层结构的PIN二极管，当工作状态从正向转到反向时，其反向恢复时间很短（可以达几十皮秒量级）,且具有极其丰富的谐波,再加上反向非线性电容效应，可以用于倍频、谐波发生、取样、脉冲发生等。其主要用途是高频稳定倍频器，结合石英晶体振荡器可使微波源的频率稳定度达到10-6～10-9量级,广泛用于数字通信、雷达和卫星通信等设备中。
基于PN结反向雪崩倍增和渡越产生射频负阻原理制成的一种微波功率器件。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这类二极管有各种结构：里德结构(即P+NIN+)、肖特基结构(M-N-N+)高-低-高结构(H-L-H)、双漂移结构（DDR或P+PNN+）等。所用材料主要有硅和砷化镓。除了PN结雪崩渡越二极管外，由于其工作机理的差别，还有俘获等离子体雪崩触发渡越时间二极管，金属-半导体-金属势垒渡越二极管，隧道雪崩渡越二极管等。雪崩渡越二极管及其功率源可达到极高的工作频率，从几百兆赫至 300吉赫都可以获得一定的微波功率。特别在毫米波波段，它是现代功率最大的固体器件，可连续波工作或脉冲工作。其缺点是噪声比电子转移器件稍高。用雪崩渡越二极管制成的雪崩振荡器和锁定放大器用于微波通信、雷达、战术导弹。
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