刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去,然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案(或者没有图案)的部分,留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。
扩展资料:
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动
1.手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
2.半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
3.自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
光刻机和刻蚀机的区别主要表现为3各个方面:
一、难易度:光刻机难度大,刻蚀机难度小
二、原理:光刻机把图案印上去,刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分,留下剩余的部分。
三、工艺操作不同
(1)、光刻机:利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上,形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上,电路设计图案直接由光刻技术决定,因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。
(2)、刻蚀机:用化学和物理方法,在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上,选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类,湿法蚀刻和干法蚀刻。
扩展资料:
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。
等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
参考资料:
1、工艺不同:刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。
2、难度不同:光刻机的难度和精度大于刻蚀机。
等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式。
其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。
等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。
参考资料来源:百度百科-等离子刻蚀百度百科-光刻机
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