第1个回答 2009-04-03
1、叫UCE是因为发射极接有电阻(加电容旁路),此时发射极的电位是不变的,起变化的是UCE。如果射极是直接接地的,发射极是零电位,起变化的还是UCE。UC是集电极电位,这两种叫法区分不严格。
2、UE是射极电压,是射极电阻上的电压(射极跟随器中射出极电阻是没有旁路电容的),这个UE会随着输入的变化而变化。这叫法没错。
3、IB小,IC也小,IC*RC也小,集电极电阻的电压自然也小了。
第2个回答 2009-04-03
回答1.在集电极输出时,发射极有电阻叫UC,没有电阻叫UCE.
2.发射极输出是射极输出器,有RE,所以严格来说,输出电压是URE.
3.老师说的是被放大的交流信号,你的理解是直流电位,概念不是一个。
第3个回答 2009-04-03
三极管的简单原理就是,电流控制电压的无器件,当基极有小电流流过时集电极就会有比基极大几十到几百培的电流通过
第4个回答 2015-11-05
1.掺杂浓度大,要阻止多子运动的耗尽层的电场强度大。(而不是电压大!)
而电场强度等于电压除以电场宽度,(公式:E=U/d)。在这里的电场宽度就是PN结的厚度,在扩散过程中产生很大的电压是不可能的,只要厚度小了,电场强度就能达到了。
2.在本征半导体中,空穴与自由电子是等量的。若是加入三价杂质,则会产生多量的空穴,但是这些空穴遇到自由电子就会“复合”,空穴越多,与自由电子“复合”的机会就越多,也就是说,多子浓度越高,少子浓度就会越低。
3.整流用二极管,要求能承受的反向电压 足够大,掺杂浓度要小,这样产生的内电场小,耗尽层宽,当在上面加上一个反向电压时,此反向电压产生的电场强度就小,于是反向击穿电压大;
4.稳压二极管,要求的反向击穿电压由几伏到几十伏不等,反向击穿电压在6V及以下的,掺杂浓度要求较大,这时耗尽层很窄,反向加一个很小的电压就能产生较大的电场强度,因此产生齐纳击穿(击穿特性陡且击穿电压低);当掺杂浓度减小,反向击穿电压就会增大(产生雪崩击穿)。只要控制掺杂浓度,就能控制反向击穿电压的大小。