场效应管与大场管区别

如题所述

增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在。也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0。
耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在。也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0。
通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。

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