平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。
用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。
相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
扩展资料：
平带电压计算
平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1）Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf；
对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2）Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。
总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
参考资料来源：百度百科-平带电位
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第1个回答 推荐于2017-11-27
平带电位是负电子伏特与费米能级的积 是测量费米能级表示导体电学性质的参数 测量方法主要是莫特肖特基理论（Mott-Schottky 半导体的能带弯曲量可以通过调节外加电压或入射光的强度来改变。如果半导体电极接入外加电位，空间电荷层中的载流子密度将发生变化，能带弯曲状况也随之改变。对于n-型半导体调节电压往负方向变化时，由于大量额外电子的进入，将使能带弯曲量减小，费米能级EF的位置往上移，当电位足够负时能带被拉平；对于p-型半导体调节电压往正方向变化时，外电源不仅抽走了导带中的电子而且抽走了价带中的部分电子，从而将使能带弯曲量减小，电位足够正时能带被拉平，能带被拉平时的电极电位称为平带电位ψfb。 ）本回答被提问者采纳
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