晶体管放大电路图解法

固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE。
但加上射极电阻(射极偏置)后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)。但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中。
望高手解答。可以追加分数

这样并不与图解法相违背。虽然假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,但是若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区,就说明工作点设置不合理,就应该加大RB,重新计算,直到IB对应的那根特性曲线和负载线相交在放大区为止。对于分压偏置放大器,可以加大RB1,同样可以减小IB,使工作点进入管子输出特性曲线的放大区。追问

那也就是说除了固定偏置电路,其它偏置电路(射极偏置、分压偏置等)不能通过图解法(及数学方法)来求解在饱和区的工作点,是吗?但是如果非要把工作点设在饱和区,该用什么方法求解工作点呢?

追答

是。如果非要把工作点设在饱和区,就该用解析方法求解。

温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考
相似回答