固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE。
但加上射极电阻(射极偏置)后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)。但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中。
望高手解答。可以追加分数
那也就是说除了固定偏置电路,其它偏置电路(射极偏置、分压偏置等)不能通过图解法(及数学方法)来求解在饱和区的工作点,是吗?但是如果非要把工作点设在饱和区,该用什么方法求解工作点呢?
追答是。如果非要把工作点设在饱和区,就该用解析方法求解。