对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴移动方向？ 。

Question

对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴移动方向？正确答案是A，而我认为是B正确；请帮解释，请附图说明。
（A）朝集电极侧移动 （B）朝发射极侧移动
我认为集电极为正电压，那么电流方向为流向发射极，空穴移动方向与电流方向相同，所以应选B，请问我哪错了？下面有图：
也或者是答案错了，我的是对的，也有这个可能，不过你要能有说答案错的依据；

Answer 1

这个题目挺有意思。答案是A。
你存在的问题是：在分析的时候，自动加了个条件，也就是三极管处于放大状态，也形成了电流，而这个题目里面，丝毫看不出有这个前提条件。
如果只是集电极发射极加电压，其实这个三极管是不导通的。
当集电极加正电压后，集电区中的自由电子在电场作用下会向正电源方向移动，而少子即空穴会往远离正电源的方向运动，造成C区下部分的自由电子浓度下降，因此原来的集电结的耗尽层宽度应该下降（这个效应有点类似PN结正向导通），就如同导通一样，在加电瞬间，基极中的空穴会往集电极移动，但也是瞬间的事情。追问

如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压（这句话潜台词是发射极为负电压）图对？

在导体上施加电压就会有电流流过？

追答

1、不一定。有可能只是单电源，但集电极一定是电源正极。
2、在导体上施加电压，会有电流（此时电源的内阻就成了负载，相当于电源正负极对接，很损电源）。但半导体不等于导体，晶体管的特性与导体相差还是很大的。