中国光刻技术落后国外15-20年，何时能缩小差距？

Question

如题所述

Answer 1

中国半导体产业的短板明显，尤其在芯片制造中的光刻技术上，与国际先进水平存在显著差距，这是由中科院微电子所院士刘明在中国集成电路设计大会上的观点揭示的。刘明院士强调，尽管我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶和超光滑抛光等领域取得了一些科研突破，但整体来看，我国的光刻技术与国际领先技术仍存在15到20年的差距，这是集成电路行业中差距最为显著的部分。

他举例指出，ASML公司的EUV光刻机已经能够支持7nm及以下的生产工艺，而我国的光刻机技术相对落后，目前只能达到90nm级别，主要用于低端生产线和面板生产。对于28nm及以下的先进工艺，我国仍然严重依赖进口ASML的设备。这凸显了我国在高端光刻技术方面的追赶之路仍然漫长。