请问N沟道MOS管是不是只要栅源大于开启电压,则漏极和源极之间不论接正电压和负电压都能导通?手册上只给出了漏源之间接正电压的情况,我想知道如果漏源之间接反向电压会怎么样?能这样用吗???
提出这个问题的不是因为傻,而是敢对成熟和标准的东西提出发散性的思考,开拓新的应用领域,是一种值得赞扬的聪明之举。我们知道N沟道MOS管如果源极接正,漏极接负,则栅极将无法控制电流,而像直接通过一个正偏的二极管一样流过电流,好像这个MOS管失去了控制就没什么用处了。但是,就有聪明的人想出了这样没用处方法的最好用法,还派上了大用处,就是用这种应用方法设计了超低正向压降的MOS型光伏二极管,简直是创造了一种神奇的新元件,大大降低了原来采用肖特基二极管时正向压降VF还是不够低所带来的功耗损失。肖特基二极管在大电流正向导通时的压降约为0.5V,而MOS型光伏二极管的VF仅为0.1V甚至更低。贴个这种管子的内部结构图分享一下: