第4个回答 2011-11-24
从半导体的激光器的发展历程来看,自1962年问世以来,从最初的低温(77K)下运转发展到现在的室温下连续工作,由小功率型到现在实现的大功率输出,其结构也从最开始的同质结发展成异质结、量子阱,从F-P谐振腔到分布反馈型(DFB)、布拉格发射型(DBR)等270余种结构形式的半导体激光器。
需要关注的参数:
1 工作温度
2 中心波长
3 阈值电流
4 外微分量子效率ηd (斜率效率)
5 波长随温度的变化趋势:
对F-P-LD,当激光器的温度升高时,有源区的带隙将变窄,同时波导层的有效折射率发生改变,峰值波长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。
6 边模抑制比
7 上升/下降时间
8 串联电阻
9 热阻