台积电推出增强版7nm和5nm制造工艺

如题所述

  7月31日,有外媒报道称,台积电已经推出7nm深紫外(N7 / DUV)和 5nm极紫外(N5 / EUV)制造工艺的性能增强版本,但台积电官方未就这两项新工艺版本发布任何通告。

  此前,台积电在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上就宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但没有过多宣传和介绍。据报道,这次台积电7nm工艺的增强版代号为“N7P”,5nm工艺的增强版代号为“N5P”。有业内人士表示,N7P和N5P技术是专为那些需要运行更快、消耗更少电量的芯片而设计的。

  据悉,7nm工艺的N7P在原有第一代N7 7nm工艺的基础上,继续使用DUV深紫外光刻技术,设计规则不变、晶体管密度也不变,只是优化了前线和后线,能在同等功耗下带来7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低10%;5nm工艺的N5P也是优化前线和后线,可在同等功耗下提升7%性能,或者在同等性能下降低15%功耗。目前N7P工艺已经可用,但台积电官方没有公布任何具体客户。

  台积电此前曾表示,7nm和6nm工艺才是长期工艺节点,5nm工艺则用于升级过渡。而据目前已知消息,台积电下个重大工艺节点将是3nm制造工艺,并且已经取得重大进展,有望在2022年进行初步量产。

  本文编辑:王稀仕

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