三极管的输出特性曲线中Uce从零开始变大时Ic也从零开始变大，为什么不是从负的开始变大呢？

Question

有人说:在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.请问是不是真的?那么,电子不就是都从基极流出吗,即电流已经跟放大区的流向不同了?那么令晶体管工作在饱和区,集电结加反向电压,发射结加正向电压,能达到吗?即调少Uce的电压.如果能,在晶体管的输出特性中的Ic--Uce中分为的3个区中,饱和区的情况是指上面哪种情况呢?如果不能,又是为什么呢?请详细点

Answer 1

○其实饱和区、放大区、截止区三者没有明显的分界线，划分它们可以用Uce,
以共发射极电路为例：
Uce略=电源电压E----截止
Uce《0.3V或0.1V----饱和
Uce在1/2E左右-------放大
○“在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.请问是不是真的?”
以NPN管共发射极电路为例:
* 既然都是正向，那么电位情况是：发射极电位Ve《集电极电位Vc《基极电位Vb
*假设一个基极电阻Rb，且Ib=（E-（Vb-Ve））/Rb
*假设一个集电极电阻Rc，且Ic=（E-（Vc-Ve））/Rc，{Vc-Ve=Uce=E-Ic*Rc}
*假设工作在放大状态，Ic=βIb，
以上三个假设说明的是：这句话是不正确的。
在同时加正向电压的情况下还要满足Ib不断↑以至于Ic↑，从而使Uce↓，直到降到0.1V或0.3V才是饱和。进入饱和状态后，Ic=βIb将不再成立。此时Ib在一定范围内的变化将不再控制Ic，电子不会从基极流出（少量会），这是由三极管的制造工艺决定的，集电区和发射区会相互填补。
○“那么令晶体管工作在饱和区,集电结加反向电压,发射结加正向电压,能达到吗?”
有问题。。。饱和的原因就是集电结和发射结在正向导通下成立的
降低Uce无疑就是增大Rc或增大Ib
增大Rc，Ic=βIb，Ic*Rc↑，Vc降低，导致最终Vb》Vc而正向导通，
增大Ib，βIb=Ic↑，导致Ic*Rc↑
导致饱和的情况有
其他不变，Ib过大 （Rb过小引起的）
其他不变，Uce过小（Rc过大引起的）
Ic受基极控制（放大态），只有在饱和态才可近视的单独计算：Ic=E/ Rc
以上均以NPN管的共发射极电路为例。

Answer 2

在集电结,发射结同时加正向电压,就能达到令晶体管工作在饱和区.是真的,这是三极管饱和的特点所致, 当Uce=Ube时,称为"临界饱和; 当Uce小于Ube时,称为"饱和";三极管饱和时,集电结,发射结都处于正向偏置,既(Ub大于Uc; Ub大于Ue);这时集电极-发射极之间的电压接近为零,(称为饱和压降,Ues)要使三极管放大,PNP管的基极-集电极必须有一-0.3V偏置电压,小于管子进入饱和状态,大于进入截止状态,NPN管的基极-集电极必须有一0.7V偏置电压,小于管子进入截止状态,大于进入管子进入饱和状态,
"为什么不是从负的开始变大呢" 我没看明白,指的是谁.追问

Ic为什么不是从负的开始变大呢

追答

Ic随着Ib的变化而变化,而且变化比Ib的变化大的多,这是三极管的电流放大作用,但是当Ib=0时,Ic并不等于零,而是某一值,我们把它叫穿透电流.例如PNP三极管放大状态时,有一0.1~0.2V的偏置,由于
穿透电流.一0.1~0.2V的偏置电压的存在,Ic相对于Ib不会出现负的情况.

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