一、区别如下：
1、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
2、区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
3、区别三：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。而场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
4、区别四：三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。
二、三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
三、场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
扩展资料：
1、晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
2、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
结构：场效应管由栅极、漏极和源极组成，其中栅极控制漏极和源极之间的电流。而三极管由发射极、基极和集电极组成，基极控制发射极和集电极之间的电流。
控制方式：场效应管是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流，栅极与漏极之间的电压控制了导通状态。而三极管是通过控制基极电流来调节发射极和集电极之间的电流，基极电流控制了放大倍数。
输入电阻：场效应管具有很高的输入电阻，通常在兆欧姆级别，而三极管的输入电阻较低，一般在几千至几十万欧姆之间。
工作速度：场效应管的开关速度较快，响应时间短，适用于高频应用；而三极管的开关速度较慢，适用于低频放大应用。
功耗：场效应管的静态功耗较低，适用于功耗敏感的应用；而三极管的静态功耗较高。