p型和n型的单晶硅片的区别如下：
N型是电子导电，P型是空穴导电。
单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低;
单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
P型和N型单晶硅片的区别主要有以下三点：
1、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
2、掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。
3、性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。P型掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
扩展资料
1、单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。
2、单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
3、单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.999%。
参考资料
N型是电子导电，P型是空穴导电。
单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低;
单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；
单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。本回答被提问者和网友采纳
P型和N型硅都是通过掺杂过程得到的。在P型硅中，硅被掺入三价元素（如硼），这些元素有三个价电子可以形成共价键，但缺少一个电子来填满硅的价带，因此形成了“空穴”，电子可以跳入这个空穴，使得空穴向反方向移动，形成了电流。而在N型硅中，硅被掺入五价元素（如磷），这些元素有一个额外的电子可以跳跃到导电带，增加了电流。
在太阳能电池中，N型单晶硅片被认为具有比P型硅片更高的效率，原因包括：
N型硅片具有较低的杂质和缺陷浓度，这可以减少电子-空穴对的复合，从而提高电池的效率。
N型硅片对光辐射和热效应的耐受性更强，这意味着它们在实际操作条件下的性能退化较少。
N型硅片的载流子寿命较长，这可以进一步提高电池的效率。